[发明专利]耐等离子体涂膜及其形成方法

权利要求书

1.一种耐等离子体涂膜的形成方法，其包括如下步骤：

在涂布对象物上喷涂第一稀土类金属化合物而形成第一稀土类金属化合物层的步骤(a)；

在所形成的所述第一稀土类金属化合物层气溶胶蒸镀第二稀土类金属化合物而形成第二稀土类金属化合物层的步骤(b)；及

在常压下，向所形成的所述第一稀土类金属化合物层和第二稀土类金属化合物层进行水合处理的步骤(c)，

在所述步骤(c)中，在常压下以60～120℃对所形成的所述第一稀土类金属化合物层和气溶胶蒸镀的所述第二稀土类金属化合物层的孔隙和微细裂纹渗透水分48小时以进行润湿处理，并通过所述第一稀土类金属化合物层和所述第二稀土类金属化合物层与渗透的水分的反应来形成氢氧化物。

2.如权利要求1所述的耐等离子体涂膜的形成方法，其中，

所述第一稀土类金属化合物为选自由Y₂O₃、Dy₂O₃、Er₂O₃、Sm₂O₃、YAG、YF及YOF构成的组群中的一种以上。

3.如权利要求1所述的耐等离子体涂膜的形成方法，其中，

所述第一稀土类金属化合物层的厚度为100～300μm。

4.如权利要求1所述的耐等离子体涂膜的形成方法，其中，

所述步骤(c)的水合处理包括：

对所形成的所述第一稀土类金属化合物层及第二稀土类金属化合物层进行清洗的步骤(i)；

对经清洗的所述第一稀土类金属化合物层及第二稀土类金属化合物层进行干燥的步骤(ii)；

对经干燥的所述第一稀土类金属化合物层及第二稀土类金属化合物层进行所述润湿处理的步骤(iii)；及

对经润湿处理的所述第一稀土类金属化合物层及第二稀土类金属化合物层进行真空烘焙的步骤(iv)。

5.如权利要求4所述的耐等离子体涂膜的形成方法，其中，

所述水合处理反复进行2次以上的步骤(iii)及步骤(iv)。

6.如权利要求1所述的耐等离子体涂膜的形成方法，其中，

所述第二稀土类金属化合物为选自由Y₂O₃、Dy₂O₃、Er₂O₃、Sm₂O₃、YAG、YF及YOF构成的组群中的一种以上。

7.如权利要求1所述的耐等离子体涂膜的形成方法，其中，

所述第二稀土类金属化合物涂层的厚度为5～30μm。

8.如权利要求1所述的耐等离子体涂膜的形成方法，其中，

所述步骤(c)之后，第一稀土类金属化合物涂层的孔隙率为10vol％以下。

9.如权利要求1所述的耐等离子体涂膜的形成方法，其中，

所述步骤(c)之后，第二稀土类金属化合物涂层的孔隙率为5vol％以下。

10.一种耐等离子体涂膜，其包括：

第一稀土类金属化合物层，借助权利要求1至9中任一项所述的耐等离子体涂膜的形成方法来形成，并在涂布对象物上喷涂第一稀土类金属化合物而形成，并进行水合处理；及

第二稀土类金属化合物层，在所述第一稀土类金属化合物层上气溶胶蒸镀第二稀土类金属化合物而形成，并进行水合处理。