[发明专利]磁性隧道结

权利要求书

1.一种磁性隧道结，其包括：

导电第一磁性电极，其包括磁性记录材料；

导电第二磁性电极，其与所述第一磁性电极隔开且包括磁性参考材料；

所述第一磁性电极和所述第二磁性电极中的至少一者包括(a)和(b)中的一者，其中：

(a)为非晶的；及

(b)其中具有非晶材料或者为晶质的；

非磁性隧道绝缘体材料，其在所述第一磁性电极与第二磁性电极之间；且

所述第一磁性电极的所述磁性记录材料包括第一磁性区域、与所述第一磁性区域隔开的第二磁性区域、及与所述第一及第二磁性区域隔开的第三磁性区域；包括金属氧化物的第一非磁性绝缘体区域在所述第一与第二磁性区域之间；且包括金属氧化物的第二非磁性绝缘体区域在所述第二与第三磁性区域之间。

2.根据权利要求1所述的磁性隧道结，其中包括金属氧化物的所述第一非磁性绝缘体区域及所述第二非磁性绝缘体区域具有彼此相同的组合物。

3.根据权利要求1所述的磁性隧道结，其中包括金属氧化物的所述第一非磁性绝缘体区域及所述第二非磁性绝缘体区域具有彼此不同的组合物。

4.根据权利要求1所述的磁性隧道结，其中包括金属氧化物的所述第一非磁性绝缘体区域及所述第二非磁性绝缘体区域具有彼此相同的最小厚度。

5.根据权利要求1所述的磁性隧道结，其中包括金属氧化物的所述第一非磁性绝缘体区域及所述第二非磁性绝缘体区域具有彼此不同的最小厚度。

6.根据权利要求1所述的磁性隧道结，其中包括金属氧化物的所述第一非磁性绝缘体区域及所述第二非磁性绝缘体区域具有彼此相同的组合物且具有彼此相同的最小厚度。

7.根据权利要求1所述的磁性隧道结，其中包括金属氧化物的所述第一非磁性绝缘体区域直接抵靠所述第一及第二磁性区域。

8.根据权利要求1所述的磁性隧道结，其中包括金属氧化物的所述第二非磁性绝缘体区域直接抵靠所述第二及第三磁性区域。

9.根据权利要求1所述的磁性隧道结，其中所述第一磁性电极的所述磁性记录材料包括与所述第三磁性区域隔开的至少一个偏磁性区域，且包括在所述第三磁性区域与所述至少一个偏磁性区域之间的包括金属氧化物的至少一个偏非磁性绝缘体区域。

10.根据权利要求1所述的磁性隧道结，其中所述第一磁性电极的所述磁性记录材料包括与所述第三磁性区域隔开且彼此隔开的多个偏磁性区域，且包括包括金属氧化物的多个偏非磁性绝缘体区域；所述多个偏磁性区域中的一者比所述多个偏磁性区域的所有其它者更接近所述第三磁性区域，包括金属氧化物的所述多个偏非磁性绝缘体区域中的一者在所述第三磁性区域与所述最接近磁性区域之间，包括金属氧化物的所述多个偏非磁性绝缘体区域的所有相应其它者在所述多个偏磁性区域的直接相邻者之间。

11.根据权利要求1所述的磁性隧道结，其是SMTJ。

12.根据权利要求1所述的磁性隧道结，其包括：

另一非磁性隧道绝缘体材料，其在所述磁性记录材料的所述第三磁性区域上方与包括金属氧化物的所述第二非磁性绝缘体区域隔开；及

第二磁性参考材料，其在所述另一非磁性隧道绝缘体材料上方，所述第二磁性参考材料包括接近所述另一非磁性隧道绝缘体材料的磁性极化体材料。

13.根据权利要求1所述的磁性隧道结，其中所述第一磁性电极在所述隧道绝缘体材料的一个电极侧上，且在所述一个电极侧上包括最远离所述磁性隧道结的所有绝缘体材料的所述隧道绝缘体材料的非磁性绝缘体材料，所述最远绝缘体材料具有与所述隧道绝缘体材料相同的组合物且具有低于所述隧道绝缘体材料的最大厚度的最大厚度。