[发明专利]用于处理半导体传感器阵列装置的方法

权利要求书

1.一种处理传感器阵列的方法，所述传感器阵列包括多个传感器和隔离结构，所述多个传感器的一个传感器具有暴露在所述传感器阵列的表面处的传感器垫，所述隔离结构安置于所述传感器垫与所述多个传感器的其它传感器的传感器垫之间，所述方法包含：

使至少所述传感器垫和所述隔离结构暴露于包括有机硅化合物、有机酸和有机溶剂的处理溶液；以及

从所述传感器垫冲洗所述处理溶液，

其中所述传感器为离子敏感场效应晶体管。

2.一种处理传感器阵列的方法，所述传感器阵列包括多个传感器和隔离结构，所述多个传感器的一个传感器具有暴露在所述传感器阵列的表面处的传感器垫，所述隔离结构安置于所述传感器垫与所述多个传感器的其它传感器的传感器垫之间，所述方法包含：

使所述传感器垫和所述隔离结构暴露于包括有机硅化合物和第一非水性载体的非水性有机硅溶液；

将包括有机酸和第二非水性载体的酸溶液施加到所述传感器垫；以及

从所述传感器垫和所述隔离结构冲洗所述酸溶液，

其中所述传感器为离子敏感场效应晶体管。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述有机硅化合物的一部分保留在所述隔离结构上。

4.一种处理传感器阵列的方法，所述传感器阵列包括多个传感器，所述多个传感器的一个传感器包括传感器垫、界定与所述传感器阵列对应的井阵列的井结构、使所述传感器垫暴露的所述井阵列的井、附着在所述传感器阵列和所述井结构上且包括流体端口的盖子、界定于所述盖子与所述井结构之间的空间，所述方法包含：

经由所述流体端口将处理溶液施加到所述空间中且等待30秒到30分钟的第一时间段，所述处理溶液包括有机硅化合物、酸和有机溶剂；

经由所述流体端口将碱性溶液施加到所述空间中且等待20秒到15分钟的第二时间段；以及

经由所述流体端口施加冲洗溶液，

其中所述传感器为离子敏感场效应晶体管。

5.根据权利要求1到4中任一项所述的方法，其中所述有机硅化合物包括用芳基、多芳基、烷基、烷氧基、卤基或氰基部分或其任何组合官能化的硅烷。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述硅烷选自由以下组成的群组：苯基二甲基氯硅烷、叔丁基氯二苯基硅烷、氯三丙基硅烷、(N,N-二甲基氨基)三甲基-硅烷、三(三甲基甲硅烷基)硅烷、三乙基氯硅烷、3-氰基丙基二甲基氯-硅烷、氯三乙基硅烷、1,2-双(氯二甲基甲硅烷基)乙烷、三甲基甲硅烷基三荧光酮磺酸酯、三辛基硅烷、十二烷基二甲基氯硅烷、氯二甲基(2,3-二甲基丁烷-2-基)硅烷、三甲基氯硅烷、氯(氯甲基)二甲基硅烷、(2,3-二甲基丁烷-2-基)二甲基氯硅烷、三异丙基氯硅烷、三甲基甲氧基硅烷、三甲基氯硅烷、氯三异丙基硅烷、乙酰氧基三甲基硅烷以及其组合。

7.根据权利要求1到4中任一项所述的方法，其中所述有机硅化合物包括包含芳基单元、二烷基单元或烷基氢单元或其组合的聚硅氧烷。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述芳基单元包括苯基烷基甲硅烷氧基单元。

9.根据权利要求7所述的方法，其中所述二烷基单元或所述烷基氢单元包括选自甲基、乙基、丙基、丁基部分以及其组合的烷基部分。

10.根据权利要求7所述的方法，其中所述有机硅化合物包括选自由以下组成的群组的硅氧烷：烷基封端聚二甲基硅氧烷、氢化物封端聚二甲基硅氧烷、单乙烯基封端聚二甲基硅氧烷、二氯四甲基二硅氧烷、六甲基三硅氧烷、聚甲基氢硅氧烷、三(三甲基甲硅烷氧基)硅烷、八甲基三硅氧烷以及其组合。

11.根据权利要求1到4中任一项所述的方法，其中所述有机硅化合物包括包含亲水性、极性或两亲性单元或其组合的聚硅氧烷。

12.根据权利要求1到4中任一项所述的方法，其中所述有机硅化合物包括硅氮烷。