[发明专利]驱动电路、开关控制电路以及开关装置

说明书

按照输入信号Vin驱动开关元件的驱动电路(20)，具备：被提供正电压Vcc的正电源端子(21)；被输入输入信号Vin的输入端子(22)；与开关元件(2)的源极连接的接地端子(23)；能够按照输入信号Vin输出正电压Vcc的第一输出端子(25)；电流源电路(10)；以及与电流源电路(10)连接的第二输出端子(26)，驱动电路(20)，将从第一输出端子(25)输出的正电压Vcc由第一阻抗电路(90)转换后的电流Ig2以及从电流源电路(10)经由第二输出端子(26)输出的电流Ig1提供到栅极，从而驱动开关元件(2)。

技术领域

本发明涉及，驱动电路、开关控制电路以及开关装置。

背景技术

专利文献1公开，将常闭的接合型FET用于开关元件的半导体电路。

图12是专利文献1所记载的半导体电路的电路图。该图所记载的半导体电路，由常闭的接合型FET(开关元件)201、栅极开关模块203、二极管213、齐纳二极管214、续流二极管202、反馈电容207、输入电容208、以及寄生二极管209构成。接合型FET201，被配置在漏极端子204与源极端子205之间。栅极开关模块203，被配置在接合型FET201的栅极端子206与源极端子205之间，具有栅极电阻211、用于向接合型FET201施加电压的栅极电源212、以及与栅极电阻211并联连接的电容器215。

在所述结构中，常闭的接合型FET201的阈值为2.5V那样低，并且，栅极电流由栅极电阻211限制，因此，不能高速开启。于是，将电容器215并联连接，由与栅极电阻211不同的路径使输入电容208的充电电流流动，从而实现高速的开启。并且，由栅极电阻211，能够限制接通时的电流。另一方面，在接通时由电容器215充电，因此，在断开时，电容器215的电压施加到栅极端子206与源极端子205之间，成为难以导致误工作的条件。

(现有技术文献)

(专利文献)

专利文献1：日本特开2011－77462号公报

发明内容

发明要解决的课题

而且，作为利用了氮化镓(GaN)的宽禁带半导体元件的GaN－GIT(Gate InjectionTransistor)被期待，作为同时实现常闭工作和低接通电阻的电压施加－电流驱动型的高速开关元件的实用化。

然而，在专利文献1所公开的半导体电路中，在将开关元件从接合型FET置换为GaN－GIT的情况下，一边调整开关速度，一边提供稳定的驱动电流是困难的。

鉴于所述课题，本发明的目的在于提供，针对电压施加－电流驱动型的高速开关元件，调整高速的开关速度，并且，能够提供被稳定控制的驱动电流的驱动电路、开关控制电路以及开关装置。

解决课题所采用的手段

为了解决所述课题，本公开的形态之一涉及的驱动电路，其中，被提供电源电压以及输入信号，按照所述输入信号驱动具有第一端子、第二端子以及控制端子的开关元件，具备：正电源端子，被提供所述电源电压；输入端子，被输入所述输入信号；接地端子，与所述开关元件的所述第二端子连接；第一输出端子，能够按照所述输入信号，输出被提供的所述电源电压；电流源电路；以及第二输出端子，与所述电流源电路连接，并且，所述第二输出端子是与所述第一输出端子不同的输出端子，所述驱动电路，将从所述第一输出端子输出的所述电源电压由第一阻抗电路转换后的第一电流、以及从所述电流源电路经由所述第二输出端子输出的第二电流，提供到所述控制端子，从而驱动所述开关元件。