[发明专利]单片式二极管激光器布置结构

权利要求书

1.用于制造单片式二极管激光器布置结构(100)的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

提供多层的基本载体，所述多层的基本载体包括施加在载体板上的至少一个外延结构层、外延基质层和载体基质；

在结构化步骤中形成确定单发射器(101)在载体基质上的布置结构的空间上连贯的结构(15)，在所述结构化步骤中，配置给单发射器(101)的单个结构(14)形成在包括载体基质的所述多层的基本载体中，而单个结构(14)不与载体基质脱开，并且单个结构(14)的与载体基质对置的前侧设置用于构成接触窗口(19、20)；

在所述多层的基本载体上或中实施形成步骤；

除去载体板；

随后借助于沿垂直于形成在外延结构层中的隔离沟的方向分隔开空间上连贯的结构来形成单片式二极管激光器布置结构。

2.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多层的基本载体的外延结构层(6)和外延基质层(5)在结构化步骤中为了形成单个结构(14)而被局部地除去。

3.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，在结构化步骤中接触条(12)为了电流注射而引入到外延结构层(6)中。

4.按照权利要求1至3之一所述的方法，其特征在于，所述外延结构层(6)在结构化步骤中局部除去直到外延基质层(5)的高度，使得外延基质层(5)不完全被外延结构层(6)覆盖。

5.按照权利要求1至3之一所述的方法，其特征在于，所述结构化步骤包括光刻处理步骤。

6.按照权利要求1至3之一所述的方法，其特征在于，在钝化步骤中，在结构化步骤中形成的空间上连贯的结构(15)全表面地钝化有钝化层(16)。

7.按照权利要求6所述的方法，其特征在于，所述钝化层(16)借助干化学或湿化学的蚀刻为了使接触窗口(19、20)暴露而局部地去除。

8.按照权利要求1至3之一所述的方法，其特征在于，所述接触窗口(19、20)在金属化步骤中配设有金属的覆层(21、22)，使得配置给单发射器(101)的单个结构(14)串联。

9.按照权利要求8所述的方法，其特征在于，所述金属化步骤两阶段地进行，并且在第一金属化步骤中，金属的第一覆层(21)施加到空间上连贯的结构(15)上，所述金属的第一覆层触点接通设置在外延基质(17)上的n接触窗口(20)，并且在第二金属化步骤中，施加至少一个金属的第二覆层(22)，所述第二覆层将触点接通n接触窗口(20)的金属的第一覆层(21)中的至少一个与设置在相邻的单个结构(14)的外延结构(18)上的p接触窗口(19)连接。

10.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多层的基本载体由至少第一层结构(1)和第二层结构(2)形成，所述第一层结构和第二层结构在结合步骤中借助结合相互连接。

11.按照权利要求10所述的方法，其特征在于，第一层结构(1)包括外延结构层(6)、外延基质层(5)、绝缘层(7)和第一结合层(8)的序列，其中，第一层结构(1)在外延结构层(6)一侧施加在另外的载体板(3)上，在第一结合层(8)与第二层结构(2)的第二结合层(9)在结合步骤中连接之后，去除所述另外的载体板。

12.按照权利要求11所述的方法，其特征在于，所述第二层结构(2)包括第二结合层(9)和作为载体基质层(10)的载体基质，其中，第二层结构(2)在载体基质层(10)一侧施加在所述载体板(4)上。

13.激光装置，其包括按照权利要求1至12之一所述的方法制造的单片式二极管激光器布置结构(100)。

14.按照权利要求13所述的激光装置，其特征在于，所述单片式二极管激光器布置结构(100)设置用于光学介质的光学泵浦。