[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

多个存储元件，分别具有上部电极、被配置在所述上部电极的下方的下部电极、以及被配置在所述上部电极与所述下部电极之间的电阻器；

第一选择线；以及

第二选择线，

所述多个存储元件之中的第一存储元件具有，作为所述上部电极的第一上部电极、以及作为所述下部电极的第一下部电极，

所述第一上部电极，通过第一导体而与所述第一选择线直接连接，

所述第一下部电极，与所述第二选择线连接，

所述多个存储元件之中的、被配置为与所述第一存储元件邻接的第二存储元件具有，作为所述上部电极的第二上部电极、以及作为所述下部电极的第二下部电极，

所述第二上部电极，通过第二导体而与所述第一选择线直接连接，

所述第二下部电极，不经由所述第二存储元件以外的存储元件的所述电阻器而与所述第一选择线连接。

2.如权利要求1所述的半导体存储装置，

所述第一存储元件是保持高电阻状态或低电阻状态来进行存储的存储器单元，

所述第二存储元件是不进行存储的伪存储器单元，

所述伪存储器单元被配置在所述存储器单元的周围。

3.如权利要求1或2所述的半导体存储装置，

所述第二下部电极经由导电层与所述第一选择线连接。

4.如权利要求3所述的半导体存储装置，

所述导电层是扩散层。

5.如权利要求4所述的半导体存储装置，

在所述扩散层形成MOS晶体管，

所述第二下部电极与所述第一选择线，经由所述MOS晶体管连接。

6.如权利要求3所述的半导体存储装置，

所述导电层是金属层。

7.如权利要求3所述的半导体存储装置，

所述导电层是金属层以及与所述金属层连接的扩散层。

8.如权利要求1或2所述的半导体存储装置，

所述第二下部电极具有向与配置有所述第一存储元件的一侧相反侧延伸的延伸部分，

所述第二下部电极在所述延伸部分经由连接于所述第二下部电极的布线层与所述第一选择线连接。

9.如权利要求8所述的半导体存储装置，

所述半导体存储装置还具备第三存储元件，

所述第三存储元件与所述第二存储元件邻接且位于与配置有所述第一存储元件的一侧相反侧，

所述第二存储元件的所述第二下部电极，经由所述第三存储元件具有的第三下部电极，与所述布线层连接。

10.如权利要求9所述的半导体存储装置，

所述第三存储元件是不进行存储的伪存储器单元。

11.如权利要求3所述的半导体存储装置，

所述第一选择线与所述导电层由纵向的布线层直接连接。

12.如权利要求1或2所述的半导体存储装置，

所述第二存储元件的电阻比所述第一存储元件高。

13.如权利要求1或2所述的半导体存储装置，

所述第一存储元件，进一步，在所述第一下部电极与所述电阻器之间具有二极管。