[发明专利]参考电压

权利要求书

1.一种电压参考电路，其包含：

电压控制电流源；

第一参考金属氧化物半导体场效应晶体管，其具有第一阈值电压；

第二参考金属氧化物半导体场效应晶体管，其具有第二阈值电压，所述第二阈值电压不同于所述第一阈值电压；

电流镜；以及

负载，

其中所述电压控制电流源经布置以产生第一电流，所述第一电流与所述第一阈值电压与所述第二阈值电压之间的差值成比例，且所述电流镜经布置以产生第二电流以便产生参考电压，所述第二电流为穿过所述负载的所述第一电流的经按比例调整版本。

2.根据权利要求1所述的电压参考电路，其中所述电压控制电流源为运算跨导放大器。

3.根据权利要求1或2所述的电压参考电路，其中所述第一阈值电压大于所述第二阈值电压。

4.根据权利要求3所述的电压参考电路，其中所述第一阈值电压在300mV与800mV之间。

5.根据权利要求3或4所述的电压参考电路，其中所述第二阈值电压在200mV与700mV之间。

6.根据前述权利要求中任一项所述的电压参考电路，其中所述负载为电阻式。

7.根据权利要求6所述的电压参考电路，其中所述负载为可变电阻器。

8.根据前述权利要求中任一项所述的电压参考电路，其中所述电流镜包含第一镜晶体管以及第二镜晶体管，所述镜晶体管经布置使得其各自栅极端子连接至共享栅电压。

9.根据权利要求10所述的电压参考电路，其中所述第一镜晶体管处于二极管连接配置。

10.根据权利要求8或9所述的电压参考电路，其中所述第二镜晶体管处于共源配置中。

11.根据权利要求8至10中任一项所述的电压参考电路，其中所述第一镜晶体管具有第一宽度且所述第二镜晶体管具有第二宽度，其中所述第一宽度与所述第二宽度不同。

12.根据权利要求8至10中任一项所述的电压参考电路，其中所述第一宽度与所述第二宽度相同。