[发明专利]SiC单晶的制造方法有效
| 申请号： | 201680027101.5 | 申请日： | 2016-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN107532329B | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 关和明;楠一彦;龟井一人;旦野克典;大黑宽典;土井雅喜 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B19/10;H01L21/208 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sic 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种利用溶液生长法的SiC单晶的制造方法，其具备：
将感应加热装置的高频输出功率升高到晶体生长时的高频输出功率的输出功率升高工序，
在所述感应加热装置的所述高频输出功率为所述晶体生长时的所述高频输出功率并且Si-C溶液的温度低于晶体生长温度时、使SiC晶种与Si-C溶液接触的接触工序，和
在所述晶体生长温度下使SiC单晶生长的生长工序。
2.根据权利要求1所述的利用溶液生长法的SiC单晶的制造方法，其在所述输出功率升高工序中、所述接触工序之前，还具备：将所述感应加热装置的所述高频输出功率以比所述晶体生长时的所述高频输出功率低的状态维持一定时间的输出功率维持工序。
3.根据权利要求1所述的利用溶液生长法的SiC单晶的制造方法，其在所述接触工序之后还具备使所述SiC晶种向上方移动而形成弯月面的弯月面形成工序。
4.根据权利要求2所述的利用溶液生长法的SiC单晶的制造方法，其在所述接触工序之后还具备使所述SiC晶种向上方移动而形成弯月面的弯月面形成工序。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的利用溶液生长法的SiC单晶的制造方法，其中，所述生长工序中，使所述晶体生长温度升高的同时进行晶体生长。
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