[发明专利]湿式蚀刻方法和蚀刻液有效
申请号: | 201680027447.5 | 申请日: | 2016-06-22 |
公开(公告)号: | CN107533971B | 公开(公告)日: | 2021-01-26 |
发明(设计)人: | 八尾章史;山内邦裕;藤原昌生;宫崎达夫 | 申请(专利权)人: | 中央硝子株式会社 |
主分类号: | H01L21/308 | 分类号: | H01L21/308;C23F1/10 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 蚀刻 方法 | ||
1.一种湿式蚀刻方法,其特征在于,其是使用蚀刻液对基板上的含金属膜进行蚀刻的湿式蚀刻方法,
所述蚀刻液仅由β-二酮及有机溶剂形成,所述β-二酮是三氟甲基与羰基键合而成的β-二酮,
所述含金属膜包含能够与所述β-二酮形成络合物的金属元素,
所述金属元素是选自由Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Fe、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Al、Ga、In、Sn、Pb和As组成的组中的至少1种金属元素,
所述含金属膜是所述金属元素的单质的膜或者是包含所述金属元素的合金的膜。
2.一种湿式蚀刻方法,其特征在于,其是使用蚀刻液对基板上的含金属膜进行蚀刻的湿式蚀刻方法,
所述蚀刻液仅由β-二酮、有机溶剂及作为添加剂的过氧化物和酸中的至少一种形成,所述β-二酮是三氟甲基与羰基键合而成的β-二酮,
所述酸选自由柠檬酸、甲酸、乙酸和三氟乙酸组成的组中的至少一种,
所述含金属膜包含能够与所述β-二酮形成络合物的金属元素,
所述金属元素是选自由Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Fe、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Al、Ga、In、Sn、Pb和As组成的组中的至少1种金属元素,
所述含金属膜是所述金属元素的单质的膜或者是包含所述金属元素的合金的膜。
3.根据权利要求1或2所述的湿式蚀刻方法,其特征在于,所述有机溶剂是选自由一级醇、二级醇、三级醇、苄醇、醚、酯、酮、胺、酰胺、甘醇、甘醇醚和卤代烷烃组成的组中的至少1种有机溶剂。
4.根据权利要求3所述的湿式蚀刻方法,其特征在于,所述有机溶剂是选自由异丙醇、甲醇、乙醇、丙二醇单甲醚乙酸酯、甲乙酮、和丙酮组成的组中的至少1种有机溶剂。
5.根据权利要求1或2所述的湿式蚀刻方法,其特征在于,所述蚀刻液中的所述β-二酮的浓度为1~80质量%。
6.根据权利要求1或2所述的湿式蚀刻方法,其特征在于,所述β-二酮是选自由六氟乙酰丙酮、三氟乙酰丙酮、1,1,1,6,6,6-六氟-2,4-己二酮、4,4,4-三氟-1-(2-噻吩基)-1,3-丁二酮、4,4,4-三氟-1-苯基-1,3-丁二酮、1,1,1,5,5,5-六氟-3-甲基-2,4-戊二酮、1,1,1,3,5,5,5-七氟-2,4-戊二酮和1,1,1-三氟-5,5-二甲基-2,4-己二酮组成的组中的至少1种。
7.根据权利要求6所述的湿式蚀刻方法,其特征在于,所述β-二酮为六氟乙酰丙酮。
8.根据权利要求2所述的湿式蚀刻方法,其特征在于,所述过氧化物是选自由过氧化氢、过乙酸、过碳酸钠、过硫酸铵、过硫酸钠、过硫酸钾和过氧硫酸钾组成的组中的至少1种。
9.根据权利要求1或2所述的湿式蚀刻方法,其特征在于,所述基板的材料为硅系半导体材料或硅酸盐玻璃材料。
10.一种对基板上的含金属膜进行蚀刻的蚀刻液,其仅由选自由异丙醇、甲醇、乙醇、丙二醇单甲醚乙酸酯、甲乙酮和丙酮组成的组中的至少1种有机溶剂;及三氟甲基与羰基键合而成的β-二酮形成。
11.一种对基板上的含金属膜进行蚀刻的蚀刻液,其仅由选自由异丙醇、甲醇、乙醇、丙二醇单甲醚乙酸酯、甲乙酮和丙酮组成的组中的至少1种有机溶剂;三氟甲基与羰基键合而成的β-二酮;以及作为添加剂的过氧化物和酸中的至少一种形成,所述酸选自由柠檬酸、甲酸、乙酸和三氟乙酸组成的组中的至少一种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中央硝子株式会社,未经中央硝子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680027447.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:清洁方法和等离子体处理方法
- 下一篇:低应力低氢型LPCVD氮化硅
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造