[发明专利]具有回跳预防的磁性存储单元存储器

权利要求书

1.一种用于存储的装置，包括：

具有电阻性存储单元的半导体芯片存储器阵列；

比较器，所述比较器用于对照所述阵列中所存储的位于写入操作标定的位置处的第二字来比较要被写入所述阵列的第一字，所述写入操作将把所述第一字写入所述阵列；

用于通过随每次连续迭代增加写入电流强度来迭代地写入其中所述第一字与所述第二字之间存在不同的一个或多个位地址的电路；

用于随每次连续迭代增加写入电流幅度的电路；以及

具有用于驱动位线的多个晶体管的写入电路，其中，随着每次连续迭代，被激活的所述晶体管的数量增加。

2.如权利要求1所述的装置，进一步包括用于随每次连续迭代增加施加写入电流的时间量的电路。

3.如权利要求1所述的装置，其中所述电路包含用于计算时钟周期的计数器。

4.如权利要求1所述的装置，进一步包括用于增加施加写入电流的时间量的第二电路，其中写入电流幅度和施加写入电流的时间量中的一者或两者随每次连续迭代增加。

5.如权利要求4所述的装置，其中写入电流幅度和施加写入电流的时间量两者随每次连续迭代增加。

6.一种用于存储的装置，包括：

具有电阻性存储单元的半导体芯片存储器阵列；

比较器，所述比较器用于对照所述阵列中所存储的位于写入操作标定的位置处的第二字来比较要被写入所述阵列的第一字，所述写入操作将把所述第一字写入所述阵列；

用于通过随每次连续迭代增加写入电流强度来迭代地写入其中所述第一字与所述第二字之间存在不同的一个或多个位地址的电路，其中，用于每次连续迭代的写入电流强度是基于被预期将通过所施加的写入电流强度来设置的存储单元的百分比；

用于随每次连续迭代增加写入电流幅度的电路；以及

具有用于驱动位线的多个晶体管的写入电路，其中随着每一次连续迭代，被激活的所述晶体管的数量增加。

7.如权利要求6所述的装置，进一步包括用于随每次连续迭代增加施加写入电流的时间量的电路。

8.如权利要求7所述的装置，其中所述电路包括用于计算时钟周期的计数器。

9.如权利要求6所述的装置，进一步包括用于增加施加写入电流的时间量的第二电路，其中写入电流幅度和施加写入电流的时间量中的一者或两者随每次连续迭代增加。

10.如权利要求9所述的装置，其中写入电流幅度和施加写入电流的时间量两者随每次连续迭代增加。

11.一种计算系统，包括：

多个处理器核；以及

半导体芯片存储器，所述半导体芯片存储器具有：

i)具有电阻性存储单元的存储器阵列；

ii)比较器，所述比较器用于对照所述阵列中所存储的位于写入操作标定的位置处的第二字来比较要被写入所述阵列的第一字，

所述写入操作将把所述第一字写入所述阵列；

iii)用于通过随每次连续迭代增加写入电流强度来迭代地写入其中所述第一字与所述第二字之间存在不同的一个或多个位地址的电路；

iv)用于随每次连续迭代增加写入电流幅度的电路；以及

v)具有用于驱动位线的多个晶体管的写入电路，其中随着每一次连续迭代，被激活的所述晶体管的数量增加。

12.如权利要求11所述的计算系统，进一步包括用于随每次连续迭代增加施加写入电流的时间量的电路。

13.如权利要求11所述的计算系统，进一步包括用于增加施加写入电流的时间量的第二电路，其中写入电流幅度和施加写入电流的时间量中的一者或两者随每次连续迭代增加。