[发明专利]源壳体组件、离子撷取系统及改善离子撷取系统的方法

权利要求书

1.一种源壳体组件，其特征在于，包括：

源壳体，包括远端及近端；

离子源，包括安置于所述源壳体的内部内的弧室；以及

撷取孔板，直接耦合至所述源壳体的所述远端，所述撷取孔板延伸于所述源壳体中的由所述源壳体的所述内部在所述远端处界定的开口上方，且所述撷取孔板具有进一步界定所述弧室的孔的开口，

还包括耦合至所述弧室的撷取孔衬垫，所述撷取孔衬垫具有与所述弧室的孔对齐的开口，所述撷取孔板耦合至所述撷取孔衬垫，

所述撷取孔板及所述撷取孔衬垫一同阻塞在所述远端处位于所述源壳体组件的前面除所述撷取孔板的开口之外的所有开口。

2.根据权利要求1所述的源壳体组件，其特征在于，所述撷取孔板的所述开口界定径向延伸部，所述径向延伸部延伸至所述撷取孔衬垫的所述开口中。

3.根据权利要求1所述的源壳体组件，其特征在于，还包括邻近所述弧室而穿过所述源壳体形成的一组真空抽吸孔。

4.根据权利要求3所述的源壳体组件，其特征在于，还包括安置于所述源壳体内的真空衬垫，所述真空衬垫相邻于所述一组真空抽吸孔安置。

5.一种离子撷取系统，其特征在于，包括：

源壳体，包括形成于所述源壳体中的一组真空抽吸孔；

离子源，包括安置于所述源壳体内的弧室；

真空衬垫，安置于所述源壳体的内部内，所述真空衬垫形成所述一组真空抽吸孔与所述离子源之间的屏障；以及

撷取孔板，直接耦合至所述源壳体的远端，所述撷取孔板延伸于所述源壳体中的由所述源壳体的内部在所述远端处界定的开口上方，且所述撷取孔板具有进一步界定所述弧室的孔的开口，

还包括耦合至所述弧室的撷取孔衬垫，所述撷取孔衬垫具有与所述弧室的孔对齐的开口，

所述撷取孔板耦合至所述撷取孔衬垫，

所述撷取孔板及所述撷取孔衬垫一同阻塞在所述远端处位于源壳体组件的前面除所述撷取孔板的开口之外的所有开口。

6.根据权利要求5所述的离子撷取系统，其特征在于，所述撷取孔板的所述开口界定径向延伸部，所述径向延伸部延伸至所述撷取孔衬垫的开口中。

7.根据权利要求5所述的离子撷取系统，其特征在于，还包括接地电极及抑制电极，所述接地电极及所述抑制电极分别具有与所述撷取孔板的所述开口对齐的开口。

8.根据权利要求5所述的离子撷取系统，其特征在于，所述真空衬垫相邻于所述一组真空抽吸孔而耦合至所述源壳体的内表面。

9.一种改善离子撷取系统的方法，其特征在于，包括：

提供源壳体，所述源壳体界定远端及近端；

将撷取孔板直接耦合至所述源壳体的所述远端，所述撷取孔板延伸于所述源壳体中的由所述源壳体的内部在所述远端处界定的开口上方，且所述撷取孔板具有进一步界定弧室的孔的开口；以及

在所述源壳体的所述内部提供真空衬垫，所述真空衬垫在所述源壳体的一组真空抽吸孔周围形成屏障，

还包括将撷取孔衬垫耦合至所述弧室，所述撷取孔衬垫包括与所述弧室的所述孔对齐的开口，

还包括将所述撷取孔板耦合至所述撷取孔衬垫，

所述撷取孔板及所述撷取孔衬垫一同阻塞在所述远端处位于源壳体组件的前面除所述撷取孔板的开口之外的所有开口。