[发明专利]透光性导电膜、及经退火处理的透光性导电膜的制造方法

权利要求书

1.一种透光性导电膜，其具备：

具有透光性及导电性的导电层、和

配置于所述导电层的一个表面侧的基材，

所述导电层为铟-锡氧化物的非晶体层，

所述导电层中的In原子和Sn原子的总计含量100重量％中，Sn原子的含量为7重量％以上，

所述导电层的载流子密度为4×10²⁰/cm³以上、6×10²⁰/cm³以下，

所述导电层的霍尔迁移率为22cm²/V·s以上、28cm²/V·s以下，

在150℃下加热10分钟后，所述导电层的霍尔迁移率为20cm²/V·s以上、30cm²/V·s以下。

2.如权利要求1所述的透光性导电膜，其中，

在150℃下加热10分钟后的所述导电层的载流子密度为7.0×10²⁰/cm³以上、2.0×10²¹/cm³以下。

3.如权利要求1或2所述的透光性导电膜，其中，

所述导电层的厚度为16nm以上、19.9nm以下。

4.一种经过退火处理的透光性导电膜的制造方法，其包括：

对权利要求1～3中任一项所述的透光性导电膜进行退火处理的工序。