[发明专利]硅基电荷中和系统

权利要求书

1.一种用于低发射电荷中和的方法，包含：

生成高频交流(AC)电压；

将所述高频交流(AC)电压传输到至少一个非金属发射体；

其中，所述至少一个非金属发射体包含至少70重量％的硅且小于99.99重量％的硅；

其中，所述至少一个非金属发射体包含具有被摧毁的氧化层的至少一个已处理表面部分；以及

响应于所述高频交流(AC)电压从所述至少一个非金属发射体生成离子。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述至少一个非金属发射体的所述至少一个已处理表面部分包含由于粗糙化或喷砂处理而具有预选粗糙度的区域。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述已处理表面部分包含金属镀层或金属涂层。

4.如权利要求1所述的方法，进一步包含：

提供用于监测所述至少一个非金属发射体的电阻和组成的测量装置。

5.如权利要求1所述的方法，其中，所述至少一个非金属发射体包含发射体轴，所述发射体轴包含硅基部分，其中所述至少一个非金属发射体和金属电极被插入套管中，并且其中所述套管是弹簧型套管。

6.如权利要求1所述的方法，其中，所述至少一个非金属发射体包含尖端配置和锥部配置，其中，这两个配置确定操作HF电晕起始电压和电离电流参数。

7.如权利要求1所述的方法，进一步包含：

在电晕电离时段的启动时段期间，通过与操作时段期间的电压/功率波形不同的电压/功率波形，执行对所述至少一个非金属发射体的等离子体的清洁。

8.如权利要求1所述的方法，其中，生成所述离子包含在操作时段期间在最小起始HF电压和功率下生成正离子和负离子。

9.如权利要求1所述的方法，

其中，所述至少一个非金属发射体包含在0.03至0.06的范围内的第一比率S/D；

其中，S是接收所述至少一个非金属发射体的套管的厚度；以及

其中，D是所述至少一个非金属发射体的轴的直径。

10.如权利要求1所述的方法，

其中，所述至少一个非金属发射体包含在(2-5)/[tan{正切}(0.5α)]的范围内的第二比率L/S；

其中，L是所述至少一个非金属发射体的轴的露出部分的长度；

其中，S是接收所述至少一个非金属发射体的套管的厚度；以及

其中，α是所述至少一个非金属发射体的所述轴的锥形部分的锥角。

11.如权利要求1所述的方法，其中所述高频交流(AC)电压具有至少1KHz的频率。

12.如权利要求1所述的方法，

其中所述至少一个非金属发射体包括发射体尖端、发射体轴和发射体尾部，并且其中所述发射体轴在所述发射体尖端和所述发射体尾部之间；

其中所述发射体轴包括至少一个已处理表面部分；以及

其中所述至少一个已处理表面部分被配置为插入电压插座并且被配置为提供到高电压电源的电连接。

13.一种用于低发射电荷中和的设备，包含：

至少一个非金属发射体，所述至少一个非金属发射体包含至少70重量％的硅且小于99.99重量％的硅；

其中，所述至少一个非金属发射体包含具有被摧毁的氧化硅层的至少一个已处理表面部分；以及

其中，所述至少一个非金属发射体响应于高频交流(AC)电压而生成离子。

14.如权利要求13所述的设备，其中，所述至少一个已处理表面部分包含粗糙处理部分或喷砂处理部分。