[发明专利]五氯二硅烷

权利要求书

1.一种在基材上形成含硅膜的方法，所述方法包括使由五氯二硅烷组成的硅前体的蒸气在存在所述基材的情况下经受沉积条件，从而在所述基材上形成含硅膜，其中所述含硅膜是硅氮膜或硅氧膜，并且所述方法利用原子层沉积。

2.根据权利要求1所述的方法，包括使所述硅前体的第一蒸气和氮前体(包括分子氮、氨、胺、肼、或者它们中任意两种或三种的组合)的第二蒸气在存在所述基材的情况下经受沉积条件，从而在所述基材上形成所述含硅膜，其中所述含硅膜是所述硅氮膜。

3.根据权利要求1所述的方法，包括使所述硅前体的第一蒸气和氧前体(包括分子氧、臭氧、一氧化氮、二氧化氮、水、过氧化氢、或者它们中任意两种或三种的组合)的第二蒸气在存在所述基材的情况下经受沉积条件，从而在所述基材上形成所述含硅膜，其中所述含硅膜是所述硅氧膜。

4.根据权利要求2-4中任一项所述的方法，其中所述基材被加热并置于被配置用于原子层沉积的沉积反应器中，所述方法包括重复进料所述硅前体的所述第一蒸气、用惰性气体吹扫、将所述第二蒸气进料到所述沉积反应器中、并且用惰性气体吹扫，从而在所述加热基材上形成所述含硅膜，其中所述进料可为相同的或不同的。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述原子层沉积是等离子体增强原子层沉积，并且其中所述等离子体是在氮气或氩气中的氨等离子体，或者其中所述等离子体是合成气体、氮气、或氧等离子体。

6.根据权利要求3所述的方法，其中所述蒸气沉积条件缺少碳和氧，并且所述硅氮膜包括氮化硅膜。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述基材是半导体材料。

8.一种用于形成硅氮膜的组合物，所述组合物包含由五氯二硅烷组成的硅前体和氮前体。

9.根据权利要求9所述的组合物在形成硅氮膜的方法中的用途。