[发明专利]虚拟接地感测电路及相关装置、系统及方法有效

专利信息
申请号: 201680028734.8 申请日: 2016-05-10
公开(公告)号: CN107636763B 公开(公告)日: 2019-07-02
发明(设计)人: G·G·马罗塔;M·D·蒂布尔齐 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C11/22 分类号: G11C11/22;G11C11/56
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 虚拟 接地 电路 相关 装置 系统 方法
【权利要求书】:

1.一种执行所选择的铁电存储器单元的感测操作的方法,所述方法包括:

将第一偏置电压电势处的虚拟接地提供到可操作地耦合到处于第一极化状态的所述所选择的铁电存储器单元的第一导线;

将第二偏置电压电势施加到可操作地耦合到所述所选择的铁电存储器单元的第二导线,其中所述第一偏置电压电势及所述第二偏置电压电势经选择以将临界电压施加到所述所选择的铁电存储器单元;

响应于所述所选择的铁电存储器单元从所述第一极化状态切换到第二极化状态,将所述第一导线可操作地耦合到具有感测节点电容的感测电路的感测节点;及

将所述感测节点处的感测节点电压电势与参考电压电势作比较以确定所述第一极化状态。

2.一种执行所选择的铁电存储器单元的感测操作的方法,所述方法包括:

将第一偏置电压电势处的虚拟接地提供到可操作地耦合到处于第一极化状态的所述所选择的铁电存储器单元的第一导线;

将第二偏置电压电势施加到可操作地耦合到所述所选择的铁电存储器单元的第二导线,其中所述第一偏置电压电势及所述第二偏置电压电势经选择以将临界电压施加到所述所选择的铁电存储器单元;

响应于所述所选择的铁电存储器单元从所述第一极化状态切换到第二极化状态,将所述第一导线可操作地耦合到具有感测节点电容的感测电路的感测节点;

比较所述感测节点处的感测节点电压电势与参考电压电势以确定所述第一极化状态;及

在锁存器中存储对应于所述经确定的第一极化状态的数据,且在执行所述感测操作之后将所述所选择的铁电存储器单元复位为所述第一极化状态。

3.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括在所述感测操作期间将所述参考电压电势从低电压电势拂掠到高电压电势。

4.根据权利要求3所述的方法,其中将所述参考电压电势从所述低电压电势拂掠到所述高电压电势包括:将所述参考电压电势以步进图案从所述低电压电势拂掠到高电压电势。

5.根据权利要求3所述的方法,其中将所述参考电压电势从所述低电压电势拂掠到所述高电压电势包括:将所述参考电压电势线性地从所述低电压电势拂掠到所述高电压电势。

6.根据权利要求1所述的方法,其中将所述感测节点电压电势与所述参考电压电势作比较包括:将所述感测节点电压电势与多个不同参考电压电势作比较而确定所述第一极化状态。

7.一种存储器感测系统,其包括:

存储器单元阵列,所述存储器单元阵列中的每一存储器单元包含第一电极及第二电极且经配置以当跨越所述第一电极及所述第二电极施加临界电压电势时从第一数据状态转变到第二数据状态;及

控制电路,其可操作地耦合到所述存储器单元阵列,所述控制电路包含:

偏置电路,其经配置以通过将第一偏置电压电势提供到所选择的存储器单元的所述第一电极且将第二偏置电压电势提供到所述所选择的存储器单元的所述第二电极而将所述临界电压电势施加到所述存储器单元阵列的所述所选择的存储器单元;及

虚拟接地感测电路,其在所述偏置电路与所述第二电极之间可操作地耦合,所述虚拟接地感测电路经配置以:

将所述第二偏置电压电势从所述偏置电路中继到所述第二电极;

充当可操作地耦合到所述第二电极的虚拟接地;

响应于所述存储器单元从所述第一数据状态转变到所述第二数据状态,选择性地使得所述第二电极放电到第一感测节点;且

将所述第一感测节点的感测节点电压电势与参考电压电势作比较以确定所述所选择的存储器单元所处的数据状态。

8.根据权利要求7所述的存储器感测系统,其中所述存储器单元阵列中的所述存储器单元的至少一部分包含所述第一电极与所述第二电极之间的铁电材料。

9.根据权利要求8所述的存储器感测系统,其中所述铁电材料包括选自由以下各者组成的群组的至少一种材料:锆钛酸铅PZT、钽酸锶铋SBT、钛酸镧铋BLT、钛酸铅及钛酸钡。

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