[发明专利]具有提高的光吸收的光敏像素结构以及光敏植入物

权利要求书

1.一种光敏像素结构(10)，包括具有前表面和后表面的衬底(15)，其中，在所述衬底(15)的所述表面中的一个上设置有至少一个光敏二极管(12、12’)，

其特征在于，第一材料层(30)至少部分地设置在所述衬底(15)的所述后表面上，其中，所述第一材料层(30)包括埋氧化物层，所述埋氧化物层的厚度与其余材料的材料特性相适应，并且其中，在钛和埋氧化物层的堆叠被用作第一材料层(30)的情况下，所述埋氧化物层的厚度的范围为65nm到210nm或365nm到510nm或665nm到810nm。

2.根据权利要求1所述的光敏像素结构(10)，其中，所述衬底(15)包括适于吸收预定波长或波长范围的光的材料。

3.根据权利要求1或2所述的光敏像素结构(10)，其特征在于，所述第一材料层(30)还包括金属层。

4.根据权利要求3所述的光敏像素结构(10)，其特征在于，所述第一材料层(30)形成为所述衬底(15)的整体的一部分。

5.根据权利要求1或2所述的光敏像素结构(10)，其特征在于，所述第一材料层(30)包括埋氧化物层，以及铝层，其中，所述埋氧化物层被夹在所述衬底(15)和所述铝层之间。

6.根据权利要求1或2所述的光敏像素结构(10)，其特征在于，至少在所述第一材料层(30)的背对所述衬底(15)的表面上设置第二材料层(32)，所述第二材料层(32)密封地覆盖至少所述第一材料层(30)和/或所述衬底(15)的所述后表面。

7.根据权利要求6所述的光敏像素结构(10)，其特征在于，所述第二材料层包括钛和/或陶瓷层，或者由钛和/或陶瓷层组成。

8.根据权利要求7所述的光敏像素结构(10)，其特征在于，所述第一和/或第二材料层(30、32)包括钛，并且钛层的厚度不小于100nm。

9.根据权利要求2所述的光敏像素结构(10)，其中，所述材料是硅。

10.根据权利要求3所述的光敏像素结构(10)，其中，所述埋氧化物层为SiO₂层。

11.根据权利要求3所述的光敏像素结构(10)，其中，所述金属层为铝层或钛层。

12.根据权利要求5所述的光敏像素结构(10)，其中，所述埋氧化物层为SiO₂层。

13.根据权利要求7所述的光敏像素结构(10)，其特征在于，所述第一和/或第二材料层(30、32)包括钛，并且钛层的厚度大于200nm。

14.根据权利要求7所述的光敏像素结构(10)，其特征在于，所述第一和/或第二材料层(30、32)包括钛，并且钛层的厚度大于或等于500nm。

15.根据权利要求1或2所述的光敏像素结构(10)，其中，所述埋氧化物层的厚度是130nm或430nm或130nm加上300nm的任何倍数。

16.一种光敏像素阵列(1)，包括多个根据权利要求1至15中任一项所述的光敏像素结构，其中，所述多个光敏像素结构被布置在阵列中。

17.一种光敏像素阵列(1)，包括多个根据权利要求1至15中任一项所述的光敏像素结构，其中，设置与所述第一材料层(30)相邻的第二材料层(32)。