[发明专利]固态摄像元件

权利要求书

1.一种固态成像传感器，包括：

衬底，其对于每个像素单位具有被配置为通过光电转换产生与入射光的量对应的像素信号的光电转换单元；

反射率调整层，其在所述入射光相对于所述衬底的入射方向上设置在所述衬底上，并且被配置为调整所述入射光在所述衬底上的反射；以及

环境介质，其设置在所述反射率调整层上，其中

所述反射率调整层包括形成在所述衬底上的第一层和形成在所述第一层上的第二层，

所述第一层包括设置在所述衬底上的凹凸结构和填充到所述凹凸结构的凹部中并且折射率低于所述衬底的折射率的材料，

所述第二层包括折射率低于所述第一层的折射率的材料，

所述衬底的折射率高于所述第一层的折射率，所述第一层的折射率高于所述第二层的折射率，所述第二层的折射率高于所述环境介质的折射率，

所述凹凸结构的凸部中填充所述衬底的材料，并且

所述反射率调整层的厚度小于100nm。

2.根据权利要求1所述的固态成像传感器，其中

所述第一层的折射率和所述第一层的厚度的乘积小于所述入射光的波长的3/8倍。

3.根据权利要求1所述的固态成像传感器，其中

所述第一层包括多个层，并且在所述多个层中的每一层的折射率中，任何相邻层中更靠近所述衬底的层的折射率更高，

在各层之间的折射率差高于预定值的情况下，

在所述多个层中的每一层中，所述折射率和所述厚度的乘积小于所述入射光的波长的3/8倍，并且

在各层之间的折射率差低于预定值的情况下，

所述多个层中的每一层的所述折射率和所述厚度的乘积之和小于所述入射光的波长的3/8倍。

4.根据权利要求1所述的固态成像传感器，其中

所述第二层的折射率和所述第二层的厚度的乘积小于所述入射光的波长的3/8倍。

5.根据权利要求1所述的固态成像传感器，其中

所述第二层包括多个层，并且在所述多个层中的每一层的折射率中，任何相邻层中更靠近所述衬底的层的折射率更高，

在各层之间的折射率差高于预定值的情况下，

在所述多个层中的每一层中，所述折射率和所述厚度的乘积小于所述入射光的波长的3/8倍，并且

在各层之间的折射率差低于预定值的情况下，

所述多个层中的每一层的所述折射率和所述厚度的乘积之和小于所述入射光的波长的3/8倍。

6.根据权利要求1所述的固态成像传感器，其中所述第一层的折射率是包括与所述衬底相同的材料的所述第一层的凹凸结构中的凸部和用折射率低于所述衬底的折射率的所述材料填充的所述凹部的各自折射率的体积比的乘积之和。

7.根据权利要求1所述的固态成像传感器，其中

所述衬底包括Si和InGaAs，填充到所述第一层的凹部中的材料包括含有Hf、Al、Ti、Zr、Ta、Nb、Y和Sr中的至少一种的氧化膜或氮化物膜，并且所述环境介质包括透镜、滤色器和氧化膜。

8.根据权利要求7所述的固态成像传感器，其中

填充到所述第一层的所述凹部中的材料包括SiN、HfO2、Ta2O5、Nb2O5、TiO2、Al2O3和ZrO2。

9.根据权利要求1所述的固态成像传感器，其中

填充到所述第一层的所述凹部中的材料是与所述第二层的材料相同的材料。

10.根据权利要求1所述的固态成像传感器，其中

填充到所述第一层的所述凹部中的材料是具有高介电常数的材料。

11.根据权利要求1所述的固态成像传感器，其中

设置在所述衬底上的所述凹凸结构是通过光刻或使用定向自组装(DSA)的蚀刻来配置。