[发明专利]基板处理系统及基板处理方法有效
申请号: | 201680029785.2 | 申请日: | 2016-06-14 |
公开(公告)号: | CN107636807B | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 庄盛博文;木村敦夫 | 申请(专利权)人: | 株式会社JET |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L21/304;H01L21/308 |
代理公司: | 北京海智友知识产权代理事务所(普通合伙) 11455 | 代理人: | 吴京顺 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 系统 方法 | ||
1.一种基板处理系统,通过将基板浸渍在由加热的水溶液构成的处理液中来去除基板表面的被膜,其特征在于,包括:
处理槽,储存所述处理液,所述基板浸渍在所述处理液中;
循环部,使从所述处理槽排出的所述处理液返回到所述处理槽;
处理液加热部,加热所述处理液,使得所述处理槽内的所述处理液保持在目标温度;
密封部,密封所述处理槽;
压力传感器,测量所述处理槽的内部压力;
压力调节部,根据由所述压力传感器测量的所述内部压力,增减从所述处理槽内排出到外部的水蒸气的排气量,从而将所述处理槽的内部压力调节到高于大气压的目标压力;及
浓度调节部,通过所述循环部在所述处理液中连续地加入纯水的同时,根据由所述压力传感器测量的所述内部压力,增减所述纯水的加水量,从而将所述处理液的浓度调节到预定的浓度,
在所述处理槽中排列有多个基板,所述压力调节部包括管状的排气部,所述管状的排气部在所述处理液的上方的空间内沿所述多个基板配置,其一端连通到外部,所述排气部在所述多个基板的排列范围形成有用于吸引所述处理槽内的水蒸气的多个开口。
2.根据权利要求1所述的基板处理系统,其特征在于,
所述压力调节部包括排气阀和排气控制部,所述排气阀连接到所述排气部,所述排气控制部根据由所述压力传感器被测量的所述内部压力,增减所述排气阀的开度。
3.根据权利要求1所述的基板处理系统,其特征在于,
所述基板是在表面上形成有氧化硅膜和氮化硅膜的硅片,所述处理液是磷酸水溶液。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理系统,其特征在于,
所述压力调节部根据所述内部压力的变化状态,增减所述水蒸气的排气量。
5.一种基板处理方法,通过将基板浸渍在由加热的水溶液构成的处理液中来去除基板表面的被膜,其特征在于,包括:
浸渍步骤,将多个基板排列而浸渍在储存于处理槽内的所述处理液中;
密封步骤,密封所述处理槽;
循环步骤,使从所述处理槽排出的所述处理液返回到所述处理槽;
处理液加热步骤,加热所述处理液,使得所述处理槽内的所述处理液保持在目标温度;
压力调节步骤,根据所述处理槽的内部压力,增减从所述处理槽内排出到外部的水蒸气的排气量,将所述处理槽的内部压力调节到高于大气压的目标压力;及
浓度调节步骤,在通过所述循环步骤被循环的所述处理液中连续地加入纯水的同时,测量所述处理槽的内部压力,并根据测量的所述内部压力增减所述纯水的加水量,从而调节所述处理液的浓度,
在所述压力调节步骤中,从管状的排气部的、形成在多个所述基板排列范围的多个开口吸引所述水蒸气,并将所吸引的所述水蒸气向所述外部排出,其中,所述管状的排气部在储存于所述处理槽的所述处理液的上方的槽内空间沿所述多个基板配置,所述管状的排气部的一端连通到所述外部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造