[发明专利]等离子体原子层生长装置有效
申请号: | 201680029977.3 | 申请日: | 2016-04-19 |
公开(公告)号: | CN107615459B | 公开(公告)日: | 2020-06-05 |
发明(设计)人: | 松本龙弥;鹫尾圭亮 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本制钢所 |
主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31;C23C16/44;C23C16/455;C23C16/50;H01L21/3065 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 殷明;俞丹 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 原子 生长 装置 | ||
1.一种等离子体原子层生长装置,其具备:
成膜容器;
与保持在所述成膜容器内的基板相对设置的平板电极;
在所述成膜容器内部保持基板的相对电极;
设于所述成膜容器的一侧壁部的气体导入开口部;以及
设于与所述一侧壁部相对的所述成膜容器的另一侧壁部的排气开口部,
所述等离子体原子层生长装置在所述基板上形成薄膜,该等离子体原子层生长装置的特征在于,具备:
能够从所述成膜容器的内侧安装到所述气体导入开口部并呈筒状地配置为包围所述气体导入开口部的开口的绝缘性喷射器防粘构件;
能够从所述成膜容器的内侧安装到所述排气开口部并呈筒状地配置为包围所述排气开口部的开口的绝缘性排气防粘构件;以及
能够安装到所述成膜容器的内壁侧的绝缘性成膜室防粘构件,
在所述喷射器防粘构件与所述平板电极及所述相对电极侧之间具有间隙,且以所述气体导入开口部侧的所述平板电极端为基准,所述喷射器防粘构件的前端位于内侧,
在所述排气防粘构件与所述平板电极及所述相对电极侧之间具有间隙,且以所述排气开口部侧的所述平板电极端为基准,所述排气防粘构件的前端位于内侧,
所述成膜室防粘构件至少位于所述喷射器防粘构件及所述排气防粘构件的两侧方,在所述成膜室防粘构件与所述平板电极及所述相对电极侧之间具有间隙,
而且该等离子体原子层生长装置具备:
从所述平板电极与所述成膜室防粘构件之间的所述间隙向所述成膜容器的内侧吹扫惰性气体的上部惰性气体供给口;
从所述相对电极与所述喷射器防粘构件、所述排气防粘构件及所述成膜室防粘构件之间的所述间隙向所述成膜容器的内侧吹扫惰性气体的下部惰性气体供给口;
与所述上部惰性气体供给口连接的上部惰性气体供给部;
与所述下部惰性气体供给口连接的下部惰性气体供给部。
2.如权利要求1所述的等离子体原子层生长装置,其特征在于,
所述喷射器防粘构件以所述气体导入开口部侧的所述平板电极端为基准,从所述平板电极端向所述平板电极中央方向延伸,使得前端位置位于0.1mm以上200mm以下的范围内,
所述排气防粘构件以所述排气开口部侧的所述平板电极端为基准,从所述平板电极端向所述平板电极中央方向延伸,使得前端位置位于0.1mm以上200mm以下的范围内。
3.如权利要求1或2所述的等离子体原子层生长装置,其特征在于,
所述喷射器防粘构件的筒状开口部的侧端部从由所述相对电极保持的基板的侧方侧的端部向外侧具有0.1mm以上200mm以下的距离,
所述排气防粘构件的筒状开口部的侧端部从由所述相对电极保持的基板的侧方侧的端部向外侧具有0.1mm以上200mm以下的距离。
4.如权利要求1或2所述的等离子体原子层生长装置,其特征在于,
所述成膜室防粘构件具有覆盖所述喷射器防粘构件的侧部及所述排气防粘构件的侧部的上下宽度的尺寸,且所述成膜室防粘构件的内侧面与所述喷射器防粘构件的外侧面具有0.1mm以上20mm以下的水平距离的间隙,所述成膜室防粘构件的内侧面与所述排气防粘构件的外侧面具有0.1mm以上20mm以下的水平距离的间隙。
5.如权利要求1或2所述的等离子体原子层生长装置,其特征在于,
所述成膜室防粘构件与所述喷射器防粘构件的侧部在所述气体导入开口部与所述排气开口部之间的气体的流动方向上具有0.1mm以上200mm以下的重叠,
所述成膜室防粘构件与所述排气防粘构件的侧部在所述气体导入开口部与所述排气开口部之间的气体的流动方向上具有0.1mm以上200mm以下的重叠。
6.如权利要求1或2所述的等离子体原子层生长装置,其特征在于,
在以所述平板电极的侧端为基准时,所述喷射器防粘构件的侧方外表面位于该侧端的内侧且距离0.1mm以上200mm以下,
在以所述平板电极端的侧端为基准时,所述排气防粘构件的侧方外表面位于该侧端的内侧,且距离0.1mm以上200mm以下。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造