[发明专利]放射性标记化合物的制造装置及制造方法有效

专利信息
申请号: 201680030681.3 申请日: 2016-05-13
公开(公告)号: CN107614482B 公开(公告)日: 2020-10-20
发明(设计)人: 中村大作;外山正人;赤间佳;江原秀明 申请(专利权)人: 日本医事物理股份有限公司
主分类号: C07C227/18 分类号: C07C227/18;A61K51/00;B01J20/22;C07B59/00;C07C229/48
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 杨宏军;李国卿
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 放射性 标记 化合物 制造 装置 方法
【说明书】:

放射性标记化合物的制造装置(100)是通过向非放射性的标记前体化合物中导入放射性同位素从而制造放射性标记化合物的制造装置。制造装置(100)具有:固相萃取部(10),所述固相萃取部(10)实施特定处理,所述特定处理是中间体化合物的反应、中间体化合物的纯化、或放射性标记化合物的纯化;和冷却部(20),在实施特定处理时,所述冷却部(20)对固相萃取部(10)进行冷却。

技术领域

本发明涉及放射性标记化合物的制造装置及制造方法。

背景技术

放射性标记化合物是经放射性同位素标记的化合物,可经由向规定的标记前体化合物中导入放射性同位素(核素)的工序等而制造。放射性标记化合物可作为放射性药剂等使用。

专利文献1中记载了用于制造放射性标记化合物等有机化合物的制造装置。

此外,专利文献1中还记载了使用上述的制造装置来制造作为放射性标记化合物中的一种的[18F]1-氨基-3-氟环丁烷甲酸(以下,称为[18F]FACBC)的方法。

在制造[18F]FACBC时,例如,如专利文献1中记载的那样,可使用具有进行脱保护反应的固相萃取柱、和进行[18F]FACBC的纯化的纯化柱的制造装置。

作为制造[18F]FACBC的方法,例如亦如专利文献2中记载的那样,已知有包括下述工序的方法:放射性氟化工序,其中,向标记前体化合物中导入放射性氟;脱保护工序(脱酯化工序),其中,利用碱溶液对通过放射性氟化工序而制造的中间体化合物进行脱保护(脱酯化);和脱氨基保护基工序,其中,对经脱保护工序而得到的化合物进行氨基保护基的脱保护。

使用上述的制造装置的情况下,脱保护工序(脱酯化工序)可利用上述的固相萃取柱进行,纯化柱中的[18F]FACBC的纯化可在脱氨基保护基工序之后进行。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2014-201571号公报

专利文献2:国际公开第2007/132689号小册子

发明内容

发明所要解决的课题

本申请的发明人最新发现,在制造[18F]FACBC时,如果在通过与碱溶液接触而进行的脱保护工序中固相萃取柱成为高温,则会发生下述现象:柱中的填充剂的一部分混入至洗脱液中,发生纯化柱的堵塞,从而无法再输送反应液。该不良情况并不限于[18F]FACBC的制造,在对放射性标记化合物进行制造或纯化时,也会由于固相萃取柱等固相萃取部成为高温而同样地发生。此外,即使在不使用纯化柱的情况下,也有可能由于填充剂溶出而导致产生以下不良情况:填充剂混入至最终产物中,由此使得最终产物的纯度降低,或者使得纯化变得繁杂;等等。

本发明是鉴于上述的课题而作出的,提供一种放射性标记化合物的制造装置及放射性标记化合物的制造方法,其可抑制由于在利用固相萃取法进行中间体化合物的反应、中间体化合物的纯化、或放射性标记化合物的纯化的工序中固相萃取部成为高温而导致的不良情况的产生。

用于解决课题的手段

通过本发明,可提供放射性标记化合物的制造装置,其通过向非放射性的标记前体化合物中导入放射性同位素从而制造放射性标记化合物,所述放射性标记化合物的制造装置具有:固相萃取部,所述固相萃取部实施特定处理,所述特定处理是中间体化合物的反应、中间体化合物的纯化、或前述放射性标记化合物的纯化;和冷却部,在实施前述特定处理时,所述冷却部对前述固相萃取部进行冷却。

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