[发明专利]玻璃基板及层叠基板

说明书

技术领域

本发明涉及玻璃基板及层叠基板。

背景技术

在半导体设备的领域中，设备的集成度增加，另一方面，小型化不断发展。与之相伴，对具有高集成度的设备的封装技术的期望提高。在迄今为止的半导体组装工序中，在将晶片状态的玻璃基板和含有硅的基板分别切断之后，将所述玻璃基板和所述含有硅的基板贴合，进行芯片接合、引线接合和成型等一系列的组装工序。

近年来，以晶片状态进行将玻璃基板和含有硅的基板贴合的组装工序之后进行切断的晶圆级封装技术受到关注。例如，在专利文献1中提出了用于晶圆级封装的支承玻璃基板。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2015/037478号

发明内容

在晶圆级封装中，若使用表面平滑的玻璃基板，则在将玻璃基板和含有硅的基板贴合的工序中，所述玻璃基板与所述含有硅的基板之间的空气不易脱离，容易作为气泡残留。具有气泡的部分不易将基板彼此接合。

因此，本发明提供一种在将玻璃基板和含有硅的基板贴合的工序中气泡不易进入的玻璃基板。

本发明的玻璃基板是通过与含有硅的基板层叠而形成层叠基板的玻璃基板，其特征在于，所述玻璃基板的翘曲为2～300μm，由所述翘曲引起的倾斜角度为0.0004～0.12°。

另外，本发明的层叠基板的特征在于，是将上述玻璃基板和含有硅的基板层叠而形成的。

应予说明，在本说明书中，只要没有特别说明，则玻璃基板和其制造方法中的各成分的含量以氧化物基准的摩尔百分率表示。

本发明的一方案的玻璃基板由于翘曲为2～300μm、由所述翘曲引起的倾斜角度为0.0004～0.12°，因此，在将玻璃基板和含有硅的基板贴合的工序中，能够一边将空气向外部排出一边贴合，因此，气泡不易进入，容易将基板彼此接合。

附图说明

图1(A)和(B)是表示与含有硅的基板贴合的本发明的一实施方式的玻璃基板，图1(A)是贴合前的截面图，图1(B)是贴合后的截面图。

图2是本发明的一实施方式的玻璃基板的截面图。

图3是本发明的一实施方式的玻璃基板的截面图。

图4(A)和(B)是表示挠曲量测定装置的本发明的一实施方式的玻璃基板和支承构件，图4(A)是俯视图，图4(B)是截面图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的一实施方式详细地进行说明。

图1(A)和(B)是与含有硅的基板贴合的本发明的一实施方式的玻璃基板的截面图。图1(A)所示的玻璃基板G1介由树脂20与含有硅的基板10在例如气氛200℃～400℃的温度下贴合，得到图1(B)所示的层叠基板30。作为含有硅的基板10，例如可使用晶片(例如硅晶片)、形成有元件的晶片、将从晶片切出元件而成的芯片成型于树脂而得到的基板等。树脂20可耐受例如200～400℃的温度。

本发明的一实施方式的玻璃基板适合作为扇出型的晶圆级封装用的支承玻璃基板。另外，适合作为利用晶圆级封装对元件小型化有效的MEMS、CMOS、CIS等影像传感器用的玻璃基板、玻璃内插器(GIP)的开孔基板和半导体背面研磨用的支承玻璃。

图2是本发明的一实施方式的玻璃基板G1的截面图。所谓“翘曲”是指在通过玻璃基板G1的一主表面G1F的中心且与玻璃基板G1的一主表面G1F正交的任意的截面中，玻璃基板G1的基线G1D与玻璃基板G1的中心线G1C的垂直方向的距离的最大值B与最小值A的差C。

将上述正交的任意的截面与玻璃基板G1的一主表面G1F的交线设为底线G1A。将上述正交的任意的截面与玻璃基板G1的另一主表面G1G的交线设为上线G1B。在此，中心线G1C是将玻璃基板G1的板厚方向的中心连接而成的线。中心线G1C通过求出底线G1A与上线G1B的相对于后述的激光照射的方向的中点而算出。

基线G1D如下求出。首先，基于删除自重的影响的测定方法算出底线G1A。根据该底线G1A，利用最小二乘法求出直线。所求出的直线为基线G1D。作为删除自重的影响的测定方法，可使用公知的方法。

例如，用3个点支承玻璃基板G1的一主表面G1F，利用激光位移计对玻璃基板G1照射激光，测定自任意的基准面起的玻璃基板G1的一主表面G1F和另一主表面G1G的高度。

接着，使玻璃基板G1反转，对与支承主表面G1F的3个点对置的主表面G1G的3个点进行支持，测定自任意的基准面起的玻璃基板G1的一主表面G1F和另一主表面G1G的高度。