[发明专利]使用闪光灯进行芯片的非接触转移和焊接的设备和方法

权利要求书

1.一种用于将芯片(1a)焊接到基底(3)的方法，所述方法包括：

在闪光灯(5)和所述基底(3)之间设置芯片载体(8)，其中所述芯片(1a)在所述芯片载体(8)的面向所述基底(3)的一侧上被附接到所述芯片载体(8)，其中在所述芯片(1a)和所述基底(3)之间设置有焊料材料(2)；以及

用所述闪光灯(5)产生光脉冲(6)以利用所述光脉冲(6)的光(6a)加热所述芯片(1a)，其中对所述芯片(1a)进行加热使得所述芯片(1a)从所述芯片载体(8)脱离以朝向所述基底(3)非接触地转移，其中所述焊料材料(2)通过与经所述光脉冲(6)的所述光(6a)加热的芯片(1a)接触而至少部分地熔融，用于将所述芯片(1a)附接到所述基底(3)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述光脉冲(6)的光(6a)继续照射所述芯片(1a)，同时所述芯片(1a)在所述芯片载体(8)和所述基底(3)之间非接触地行进距离(Z)。

3.根据权利要求2所述的方法，其中通过所述闪光灯(5)或所述闪光灯(5)与所述芯片载体(8)之间的掩蔽装置(7)的控制根据时间对冲击所述芯片(1a)的所述光脉冲(6)的所述光(6a)的强度(Ia)进行调节，其中，通过所述调节，所述光的强度(Ia)在所述芯片从所述芯片载体(8)脱离的时刻比所述芯片(1a)在所述芯片载体(8)和所述基底(3)之间行进的时间期间高。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述光脉冲(6)的所述光(6a)继续照射所述芯片(1a)，同时所述芯片(1a)位于所述基底(3)上，并且其中所述光强度(Ia)在所述行进之后在所述芯片接触基底(3)上的所述焊料材料(2)时增加。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述芯片载体(8)包括对所述光脉冲(6)透明的载体基底，其中所述芯片(1a)由透射通过所述芯片载体(8)的所述光脉冲(6)加热。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中所述光脉冲(6)的所述光(6a)使所述芯片载体(8)和所述芯片(1a)之间的粘合材料(8a)分解，从而使所述芯片(1a)从所述芯片载体(8)脱离。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中在距所述基底(3)的距离(Z)处将所述芯片(1a)附接到所述芯片载体(8)，其中所述距离(Z)在50微米和500微米之间。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中将包括掩蔽图案(7a，7c)的掩蔽装置(7)设置在所述闪光灯(5)和所述芯片(1a)之间，其中所述掩蔽图案(7a，7c)被配置成使所述光脉冲(6)的所述光(6a)选择性地通过到达所述芯片(1a)。

9.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中将多个芯片(1a，1b)同时从所述芯片载体(8)转移到所述基底(3)并且焊接到所述基底(3)。

10.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中一个或更多个芯片的所述转移和焊接通过单个光脉冲(6)实现。

11.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中

具有不同的加热特性(C1、C2)的两个或更多个不同的芯片(1a，1b)被附接到所述芯片载体(8)；并且

在所述闪光灯(5)和所述芯片(1a，1b)之间设置掩蔽装置(7)，从而通过所述掩蔽装置(7)的所述光脉冲(6)在不同区域(6a，6b)中造成不同的光强度(Ia，Ib)，从而用不同的光强度(Ia，Ib)加热所述芯片(1a，1b)，用于至少部分地补偿所述不同的加热特性(C1，C2)，以减少由于所述光脉冲(6)的加热而导致的所述芯片之间的温度差距。

12.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中所述基底(3)包括卷对卷过程中的柔性箔。