[发明专利]用于使基材在结合之前对准的方法有效
申请号: | 201680031184.5 | 申请日: | 2016-06-01 |
公开(公告)号: | CN107646139B | 公开(公告)日: | 2022-04-19 |
发明(设计)人: | V.德拉戈伊 | 申请(专利权)人: | EV集团E·索尔纳有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/67 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 郭帆扬;李雪莹 |
地址: | 奥地利圣*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 基材 结合 之前 对准 方法 | ||
1.一种用于使具有至少两个第一对准标记(8)的第一基材(7)与具有至少两个第二对准标记(8’)的第二基材(7’)对准的方法,其中
-在第一关联模块中通过第一关联在X方向和Y方向上使所述第一对准标记(8)关联于所述第一基材(7)的至少两个第一独特的基材特征(9),
-在第二关联模块中通过第二关联在X方向和Y方向上使所述第二对准标记(8’)关联于所述第二基材(7’)的至少两个第二独特的基材特征(9’),并且
-在对准模块中通过对准借助于所述第一和第二独特的基材特征(9,9’)在X和Y方向上使所述第一(8)和第二对准标记(8’)彼此对准。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述对准模块构造成结合模块。
3.根据权利要求2所述的方法,在其中,在所述第一和第二关联之后且在所述对准之前在结合模块中实现所述第一基材(7)和所述第二基材(7’)的转移。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,在所述结合模块中执行所述对准。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,在所述结合模块中在小于1bar的气压下执行所述对准。
6.根据权利要求1到5中任一项所述的方法,在其中,在第一关联模块(3)中实现所述第一关联且在第二关联模块(3’)中实现所述第二关联。
7.根据权利要求6所述的方法,其中,所述第二关联平行于所述第一关联。
8.根据权利要求6所述的方法,其中,所述第一关联模块(3)构造成闸口。
9.根据权利要求6所述的方法,其中,所述第二关联模块(3’)构造成闸口。
10.根据权利要求4所述的方法,其中,在所述对准之前降低气压。
11.根据权利要求10所述的方法,其中,所述气压降低到少于1bar的气压上。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,所述气压降低到少于10-3mbar的气压上。
13.根据权利要求12所述的方法,其中,所述气压降低到少于10-5mbar的气压上。
14.根据权利要求13所述的方法,其中,所述气压降低到少于10-8mbar的气压上。
15.根据权利要求10所述的方法,其中,在所述第一和/或第二关联模块中降低所述气压。
16.根据权利要求10所述的方法,其中,在所述关联期间降低所述气压。
17.根据权利要求1到5中任一项所述的方法,其中,所述第一和/或第二独特的基材特征(9,9’)分别布置在所述第一和第二基材(7,7’)的侧边缘处。
18.根据权利要求1到5中任一项所述的方法,其中,将以下提及的特征中的一个或多个用作第一和/或第二独特的基材特征(9,9’):
·圆形的基材边缘区段和/或
·平整的基材边缘区段和/或
·开槽式成型的基材边缘区段和/或
·前述特征的交点和/或
·前述特征的切线的交点。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造