[发明专利]电力用半导体装置

权利要求书

1.一种电力用半导体装置，具备：

第一导电类型的漂移层，由宽带隙半导体构成；

第二导电类型的基极区域，在元件区域中，形成于所述漂移层的上部；

第一导电类型的源极区域，形成于所述基极区域的上部；

栅极绝缘膜，形成于元件沟槽的侧面及底面，所述元件沟槽形成为贯通所述基极区域及所述源极区域而到达所述漂移层；

栅电极，在所述元件沟槽的内部隔着所述栅极绝缘膜形成；

第二导电类型的保护扩散区域，在所述元件区域的所述漂移层内，形成于比所述元件沟槽深的位置；

第一导电类型的电流扩散层，形成于所述基极区域的下部；

栅极抽出电极，在包围所述元件区域的终端区域中在侧面与所述基极区域相接的终端沟槽内隔着绝缘膜形成，与所述栅电极电连接；以及

第二导电类型的终端扩散区域，在所述终端区域中，形成于比所述终端沟槽深的位置，

在剖视图中，

所述保护扩散区域具有：第一保护扩散区域，在所述元件区域内配置于最接近所述终端区域的位置；以及第二保护扩散区域，与所述第一保护扩散区域隔着第一间隔配置，

作为所述终端扩散区域与所述第一保护扩散区域之间的距离的第二间隔大于所述第一间隔，

所述电流扩散层具有：第一电流扩散层，位于所述第一保护扩散区域与所述第二保护扩散区域之间且具有比所述漂移层的杂质浓度高的杂质浓度；以及第二电流扩散层，位于所述第一保护扩散区域与所述终端扩散区域之间，

所述第二电流扩散层包括具有比所述第一电流扩散层的杂质浓度低的杂质浓度的区域。

2.根据权利要求1所述的电力用半导体装置，其中，

所述第二电流扩散层具有与所述漂移层的杂质浓度相同的杂质浓度。

3.根据权利要求1所述的电力用半导体装置，其中，

所述第二电流扩散层具有比所述漂移层的杂质浓度高的杂质浓度。

4.根据权利要求1所述的电力用半导体装置，其中，

所述第二电流扩散层包括：

第一区域，具有比所述第一电流扩散层的杂质浓度低的杂质浓度；以及

第二区域，具有比所述第一区域的杂质浓度高的杂质浓度。

5.根据权利要求4所述的电力用半导体装置，其中，

所述第一区域具有与所述漂移层的杂质浓度相同的杂质浓度。

6.根据权利要求4所述的电力用半导体装置，其中，

所述第二区域具有与所述第一电流扩散层的杂质浓度相同的杂质浓度。

7.根据权利要求5所述的电力用半导体装置，其中，

所述第二区域具有与所述第一电流扩散层的杂质浓度相同的杂质浓度。

8.根据权利要求4所述的电力用半导体装置，其中，

所述第二区域具有与所述第一电流扩散层的杂质浓度相同的杂质浓度，设置于与所述栅极绝缘膜相接的区域。

9.根据权利要求1至8中的任意一项所述的电力用半导体装置，其中，

所述第二电流扩散层具有与所述第一电流扩散层的厚度相同的厚度。