[发明专利]原子层生长装置有效
| 申请号： | 201680031264.0 | 申请日： | 2016-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN107615460B | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 松本龙弥;鹫尾圭亮 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本制钢所 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;C23C16/04;C23C16/44;C23C16/455 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 殷明;俞丹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 原子 生长 装置 | ||
1.一种原子层生长装置，是在基板上形成薄膜的原子层生长装置，其特征在于，具备：
成膜容器；
设置在所述成膜容器内的平台；
在所述平台上保持所述基板的基座；
配置在所述基板上且尺寸包围所述基板的掩模；
能够支撑所述掩模上下可动的掩模销；以及
在上下方向上贯通所述平台及所述基座并使所述掩模销能够以上下可动的方式插通的掩模销孔，
所述基座具备：具有所述基板的保持面的基座主体；位于所述基座主体的周围且高度比所述保持面低的基座周缘部，
所述掩模销孔在所述基座周缘部开口，
在所述基座周缘部的所述掩模包围的区域内，以所述基座主体为基准，在所述掩模销孔的开口的外侧，在所述保持面的周围设置向上方侧排出气体的惰性气体供给口，所述惰性气体供给口与供给惰性气体的惰性气体供给路径连接。
2.如权利要求1所述的原子层生长装置，其特征在于，
所述惰性气体供给口在所述保持面的周围沿整个全周形成多个或在整个全周上连续形成。
3.如权利要求1或2所述的原子层生长装置，其特征在于，
所述惰性气体供给口相对于所述惰性气体供给路径具有喷淋头部构造。
4.如权利要求1或2所述的原子层生长装置，其特征在于，
所述掩模与所述基座周缘部之间形成的间隙为0.1mm以上，10mm以下。
5.如权利要求1或2所述的原子层生长装置，其特征在于，
所述掩模周缘端与所述惰性气体供给口的接近侧的距离为1mm以上，200mm以下。
6.如权利要求1或2所述的原子层生长装置，其特征在于，
在所述基座周缘部顶面设置有防粘构件。
7.如权利要求1或2所述的原子层生长装置，其特征在于，
所述惰性气体以平台面温度±10％以内的温度从所述惰性气体供给口排出。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日本制钢所，未经株式会社日本制钢所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680031264.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：等离子体原子层生长装置
- 下一篇：半导体结构与处理
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
