[发明专利]半导体光调制元件有效

专利信息
申请号: 201680031603.5 申请日: 2016-06-01
公开(公告)号: CN107615140B 公开(公告)日: 2021-07-16
发明(设计)人: 小木曾义弘;尾崎常祐;柏尾典秀;菊池顺裕;神德正树 申请(专利权)人: 日本电信电话株式会社
主分类号: G02F1/025 分类号: G02F1/025;G02F1/225
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 吕琳;朴秀玉
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 调制 元件
【权利要求书】:

1.一种半导体光调制元件,其是马赫-策德尔型半导体光调制元件,通过对在光波导进行导波的光的折射率进行调制的折射率调制区域、以及进行在该折射率调制区域分支的光的合分波的输入输出区域来进行光的调制,其特征在于,

所述光波导在折射率调制区域中,在与闪锌矿型半绝缘性的半导体晶体基板的(100)面等效的基板面上,从上层朝向基板面至少层叠有n型包层、i芯层、p型包层以及第二n型包层,所述n型包层在倒置台面方向形成为脊状,所述p型包层为与所述脊状相比宽度宽的平板状,在所述n型包层上设有电容加载电极。

2.根据权利要求1所述的半导体光调制元件,其特征在于,

所述光波导在不对光的折射率进行调制的部分,在与闪锌矿型半绝缘性的半导体晶体基板的(100)面等效的基板面上,从上层朝向基板面至少层叠有半绝缘性的InP包层、i芯层、p型包层以及第二n型包层。

3.根据权利要求1所述的半导体光调制元件,其特征在于,

所述n型包层以如下方式形成:在与[011]面方向等效的方向以马赫-策德尔型波导形状实施蚀刻,由此,在倒置台面方向呈所述脊状。

4.根据权利要求1所述的半导体光调制元件,其特征在于,

使所述p型包层和连接于电源的电极电接触。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体光调制元件,其特征在于,

所述电容加载电极经由差动线路布线板与差动信号源连接。

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