[发明专利]用于增加半导体单元阵列中的组装密度的系统和方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

晶体管阵列，其中所述晶体管阵列中的至少一些晶体管中的每个相应的晶体管

(1)被定位为邻近所述晶体管阵列中的相应的第一相邻晶体管和相应的第二相邻晶体管，

(2)具有与所述相应的第一相邻晶体管的源极区域共享第一触点的源极区域，以及

(3)具有与所述相应的第二相邻晶体管的漏极区域共享第二触点的漏极区域。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述晶体管阵列是二维阵列，并且所述晶体管阵列中的晶体管被布置为多个行和多个列。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中(1)所述相应的晶体管和所述相应的第一相邻晶体管共享相同的行，并且所述相应的晶体管和所述相应的第二相邻晶体管共享相同的列，或者(2)所述相应的晶体管和所述相应的第一相邻晶体管共享相同的列，并且所述相应的晶体管和所述相应的第二相邻晶体管共享相同的行。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中每个相应的晶体管的所述第一触点和所述第二触点被成形为矩形。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一触点和所述第二触点中的每个触点的第一尺寸在30nm到50nm之间，并且所述第一触点和所述第二触点中的每个触点的第二尺寸在30nm到130nm之间。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括多个浅沟槽，其中所述多个浅沟槽中的每个浅沟槽被定位在所述相应的晶体管中的一个相应的晶体管与所述相应的第一相邻晶体管之间，并且在所述相应的晶体管中的所述一个相应的晶体管与所述相应的第一相邻晶体管之间提供隔离。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述浅沟槽中的至少一些浅沟槽被掩埋在硅层底下。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括多个气隙，其中所述多个气隙中的每个气隙被定位在所述相应的晶体管中的一个相应的晶体管与所述相应的第一相邻晶体管之间，并且在所述相应的晶体管中的所述一个相应的晶体管与所述相应的第一相邻晶体管之间提供隔离。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述多个气隙中的每个气隙被掩埋在硅层底下。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一触点在两个源极区域之间的共享以及所述第二触点在两个漏极区域之间的共享允许所述晶体管阵列中的晶体管被定位为比在所述第一触点和所述第二触点未被共享的情况下更靠近彼此。

11.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

形成晶体管阵列，其中所述晶体管阵列中的至少一些晶体管中的每个相应的晶体管被定位为邻近所述晶体管阵列中的相应的第一相邻晶体管和相应的第二相邻晶体管；

使所述相应的晶体管的源极区域与所述相应的第一相邻晶体管的源极区域共享第一触点；以及

使所述相应的晶体管的漏极区域与所述相应的第二相邻晶体管的漏极区域共享第二触点。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述晶体管阵列是二维阵列，并且所述晶体管阵列中的晶体管被布置为多个行和多个列。

13.根据权利要求12所述的方法，其中(1)所述相应的晶体管和所述相应的第一相邻晶体管共享相同的行，并且所述相应的晶体管和所述相应的第二相邻晶体管共享相同的列，或者(2)所述相应的晶体管和所述相应的第一相邻晶体管共享相同的列，并且所述相应的晶体管和所述相应的第二相邻晶体管共享相同的行。

14.根据权利要求11所述的方法，其中每个相应的晶体管的所述第一触点和所述第二触点被成形为矩形。

15.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一触点和所述第二触点中的每个触点的第一尺寸在30nm到50nm之间，并且所述第一触点和所述第二触点中的每个触点的第二尺寸在30nm到130nm之间。

16.根据权利要求11所述的方法，还包括形成多个浅沟槽，其中所述多个浅沟槽中的每个浅沟槽被定位在所述相应的晶体管中的一个相应的晶体管与所述相应的第一相邻晶体管之间，并且在所述相应的晶体管中的所述一个相应的晶体管与所述相应的第一相邻晶体管之间提供隔离。