[发明专利]薄膜晶体管制造方法及阵列基板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在基板上依次形成栅极、栅极绝缘层及氧化物半导体层；

在所述氧化物半导体层上形成光阻材料层，通过半色调掩膜或者灰色调掩工艺使所述光阻材料层形成第一光阻层，所述第一光阻层具有第一厚度的第一区域和具有第二厚度的第二区域，其中第二区域位于第一区域两侧；

去除所述第二区域，露出位于第二区域下方的氧化物半导体层；

去除第二区域下方的部分厚度的氧化物半导体层；

在所述氧化物半导体层及栅极绝缘层上形成金属层并进行图案化，形成源漏极及沟道区域。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，通过半色调掩膜板或者灰色调掩板灰化去除所述第二区域。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，在去除第二区域步骤之前还包括去除露出所述第一光阻层的氧化物半导体层的步骤。

4.如权利要求2所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，步骤去除第二区域下方的部分厚度的氧化物半导体层后，所述氧化物半导体层包括第一部分及第二部分，所述第一部分的厚度大于所述氧化物半导体层的第二部分的厚度。

5.如权利要求2所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，所述对所述光阻材料层进行半色调光罩形成第一光阻层的步骤包括，提供一光罩，光罩包括遮光区、位于遮光区两侧的半透区及与半透区连接的全透区；

通过光照射所述光罩对所述光阻材料层进行图案化，使与全透区相对的光阻材料层部分被去除，与半透区相对的光阻材料层部分厚度减小形成所述第二区域，与遮光区相对的部分为所述第一区域。

6.如权利要求3所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，所述第二区域的厚度为所述第一区域厚度的一半。

7.如权利要求3所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，所述去除露出所述第一光阻层的氧化物半导体层步骤通过湿蚀刻的方式去除。

8.如权利要求2所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，所述去除第二区域下方的部分厚度的氧化物半导体层的步骤是通过湿蚀刻的方式减小露出所述第一光阻层的第一区域两侧氧化物半导体层的厚度。

9.如权利要求2所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，所述在所述氧化物半导体层及栅极绝缘层上形成金属层并进行图案化，形成源漏极及沟道区域的步骤包括：

在所述金属层上形成第二光阻层以对源漏极构图，其中第二光阻层包括正投影于所述氧化物半导体层第一部分的开口区域；

根据所述第二光阻层的图形蚀刻露出的所述金属层形成所述源漏极，同时蚀刻与所述开口区域相对的所述氧化物半导体层第一部分，使所述第一部分的厚度等于第二部分的厚度，所述源漏极分别覆盖所述氧化物半导体层的两个第二部分；

去除第二光阻层。

10.如权利要求4所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，所述第二部分的厚度为第一部分的二分之一。

11.如权利要求2所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，所述氧化物半导体层正投影于所述栅极。

12.如权利要求2所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，所述栅极绝缘层包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)与氮氧化硅(SiNxOy)中的任意一种或多种。