[发明专利]半导体装置及制造方法有效

专利信息
申请号: 201680032029.5 申请日: 2016-12-06
公开(公告)号: CN107636835B 公开(公告)日: 2021-03-19
发明(设计)人: 内藤达也 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L29/739 分类号: H01L29/739;H01L21/336;H01L27/04;H01L29/78
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 金玉兰;杨敏
地址: 日本神奈*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其特征在于,具备:

半导体基板;

多个沟槽部,设置于所述半导体基板的正面侧,分别具有沿着延伸方向延伸的部分;以及

第一导电型的发射区和第二导电型的接触区,设置于相邻的2个沟槽部之间,在所述延伸方向上交替地在所述半导体基板的正面露出,

在所述半导体基板的正面,所述发射区在所述2个沟槽部之间的中央位置处的长度比所述发射区的与所述沟槽部接触的部分的长度短,

在所述半导体基板的正面,所述发射区的边界的至少一部分为曲线形状,

所述接触区在所述中央位置处的深度比所述发射区在所述中央位置处的深度深,

所述发射区在所述中央位置处的长度比所述发射区在所述中央位置处的深度与所述接触区在所述中央位置处的深度之差大,

所述接触区的在所述延伸方向上的中央部分以在所述半导体基板的正面与所述沟槽部的侧壁接触的方式形成,在所述半导体基板的正面,所述接触区在所述沟槽部的侧壁露出,多个所述发射区相互分离。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述发射区在所述中央位置处的长度比所述发射区的与所述沟槽部接触的部分的长度的1/3大。

3.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述发射区在所述中央位置处的长度比所述2个沟槽部的距离的一半大。

4.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述接触区的至少一部分的区域越接近所述沟槽部则逐渐形成得越浅。

5.根据权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,所述接触区在所述半导体基板的正面和所述沟槽部的侧壁与所述发射区的边界的接触点分开形成。

6.根据权利要求1~5中任一项所述的半导体装置,其特征在于,在所述半导体基板的正面隔着1个所述发射区而设置的2个所述接触区在所述半导体基板的内部也分离。

7.根据权利要求1~5中任一项所述的半导体装置,其特征在于,在所述半导体基板的正面隔着1个所述发射区而设置的2个所述接触区在所述发射区的下侧连接。

8.根据权利要求1~5中任一项所述的半导体装置,其特征在于,所述沟槽部的宽度比所述2个沟槽部的距离大。

9.根据权利要求1~5中任一项所述的半导体装置,其特征在于,所述半导体装置还具备层间绝缘膜,该层间绝缘膜形成于所述半导体基板的正面,并在与所述接触区对置的区域和与所述发射区对置的区域形成有接触孔,

所述接触孔形成于与所述中央位置对置的区域,且不形成于与所述沟槽部接触的区域。

10.根据权利要求9所述的半导体装置,其特征在于,所述接触孔以与所述发射区的长度恒定的区域对置的方式形成。

11.根据权利要求1~5中任一项所述的半导体装置,其特征在于,在所述半导体基板的正面,基区在所述沟槽部的侧壁露出。

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