[发明专利]用于样品分析的装置和方法有效
申请号: | 201680032121.1 | 申请日: | 2016-04-02 |
公开(公告)号: | CN107690582B | 公开(公告)日: | 2023-10-20 |
发明(设计)人: | J.B.哈夫;M.A.海登;P.J.卡拉巴特索斯;A.S.沙帕尔斯;A.S.米尔霍夫;F.博丹;T.利里;S.R.霍尔茨-麦考马克;S.劳伦森;A.T.费希尔;R.哈克;S.赫什伯格;D.豪斯;L.乔;M.S.墨菲;M.R.波普;E.M.普里托-巴伦吉;Q.阮;P.索尼;S.特丁;L.亚内尔 | 申请(专利权)人: | 雅培制药有限公司 |
主分类号: | G01N33/543 | 分类号: | G01N33/543;G01N33/487;G01N33/53 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 权陆军;周齐宏 |
地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 样品 分析 装置 方法 | ||
1.一种用于测量或检测存在于生物样品中的分析物的方法,所述方法包括:(a)使所述样品与第一结合成员接触,其中所述第一结合成员被固定化在固体支持物上,且其中所述第一结合成员特异性地结合所述分析物;(b)使所述分析物与第二结合成员接触,其中所述第二结合成员特异性地结合所述分析物,且其中所述第二结合成员包含与其附接的可切割标签;(c)除去未结合至与所述第一结合成员结合的分析物的第二结合成员;(d)切割与第二结合成员附接的标签,所述第二结合成员结合至与所述第一结合成员结合的分析物;(e)穿过层中的一个或多个纳米孔转移所述标签;和(f)评估穿过所述层转移的标签,其中测量穿过所述层转移的标签的数目会测量存在于所述样品中的分析物的量,或其中检测穿过所述层转移的标签会检测存在于所述样品中的分析物。
2.权利要求1的方法,其中穿过所述层转移的每个标签是转移事件,且测量转移事件的数目会测量存在于所述样品中的分析物的量,其中如下确定存在于所述样品中的分析物的量:i.计数在设定的时间段内转移事件的数目,并将所述转移事件的数目与对照关联;ii.测量发生设定数目的转移事件的时间量并与对照关联;或iii.测量发生转移事件之间的平均时间并与对照关联,其中所述对照是包含校正曲线、标准添加或数字聚合酶链式反应的参比标准。
3.权利要求2的方法,其中通过针对设定的时间段内分析物的对照浓度测量转移事件的数目来确定分项i)中的标准曲线;其中通过针对分析物的对照浓度测量发生设定数目的转移事件所需的时间来确定分项ii)中的标准曲线;且其中通过针对分析物的对照浓度测量发生转移事件之间的平均时间来确定分项iii)中的标准曲线。
4.权利要求1-3中的任一项的方法,其中所述方法涉及单个分子计数。
5.权利要求1-4中的任一项的方法,其中所述标签选自阴离子聚合物、阳离子聚合物、树枝状聚合物和纳米颗粒。
6.权利要求1或5中的任一项的方法,其中所述标签是基本上球形的或半球形的。
7.权利要求1-6中的任一项的方法,其中所述标签是基本上球形的且包含纳米颗粒。
8.权利要求1-7中的任一项的方法,其中所述标签是基本上球形的或半球形的且包含树枝状聚合物。
9.权利要求8的方法,其中所述树枝状聚合物是带正电荷的或带负电荷的。
10.权利要求5或7的方法,其中所述纳米颗粒包含带正电荷的纳米颗粒。
11.权利要求10的方法,其中所述纳米颗粒包含带负电荷的纳米颗粒。
12.权利要求1-11中的任一项的方法,其中所述第一结合成员和所述第二结合成员是抗体或受体。
13.权利要求1-12中的任一项的方法,其中所述第一结合成员是受体且所述第二结合成员是抗体,或其中所述第一结合成员是抗体且所述第二结合成员是受体。
14.权利要求1-12中的任一项的方法,其中所述第一结合成员是第一抗体且所述第二结合成员是第二抗体。
15.权利要求1-14中的任一项的方法,其中所述标签是带负电荷的,且所述转移包括跨所述层施加正电势由此穿过所述层转移所述标签。
16.权利要求1-14中的任一项的方法,其中所述标签是带正电荷的,且所述转移包括跨所述层施加负电势由此穿过所述层转移所述标签。
17.权利要求1-16中的任一项的方法,其中至少步骤(a)-(d)在以下装置中实施:微流体装置,基于微滴的微流体装置;数字微流体装置(DMF),基于表面声波的微流体装置(SAW),完全集成的DMF和纳米孔装置,或完全集成的SAW和纳米孔装置。
18.权利要求17的方法,其中DMF元件和纳米孔元件在所述完全集成的DMF和纳米孔装置中可操作地偶联,或SAW元件和纳米孔元件在完全集成的SAW和纳米孔装置中可操作地偶联。
19.权利要求17的方法,其中所述DMF装置或所述SAW装置通过基于卷对卷的印刷电子学方法制造。
20.权利要求18的方法,其中所述DMF元件或所述SAW元件通过基于卷对卷的印刷电子学方法制造。
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