[发明专利]具有新的CIT-13拓扑结构的晶体锗硅酸盐材料及其制备方法

权利要求书

1.一种晶体微孔性锗硅酸盐，包含具有由10元环和14元环界定的孔隙的三维框架；其中所述晶体微孔性锗硅酸盐展示以下中的至少一种：

(a)展示以下的特征峰中的至少五个的粉末X射线衍射XRD图：6.45±0.2度、7.18±0.2度、12.85±0.2度、20.78±0.2度、26.01±0.2度和26.68±0.2度2θ；

(b)与在图1(B)中所示的相同的粉末X射线衍射XRD图；或

(c)如以下所定义的晶胞参数：

2.如权利要求1所述的晶体微孔性锗硅酸盐，所述晶体微孔性锗硅酸盐展示呈现出以下的特征峰中的至少七个的粉末X射线衍射XRD图：6.45±0.2度、7.18±0.2度、12.85±0.2度、18.26±0.2度、18.36±0.2度、18.63±0.2度、20.78±0.2度、21.55±0.2度、23.36±0.2度、24.55±0.2度、26.01±0.2度和26.68±0.2度2θ。

3.如权利要求1所述的晶体微孔性锗硅酸盐，所述晶体微孔性锗硅酸盐展示呈现出以下的特征峰中的至少五个的粉末X射线衍射XRD图：6.45±0.2度、7.18±0.2度、12.85±0.2度、20.78±0.2度、26.01±0.2度和26.68±0.2度2θ。

4.如权利要求1所述的晶体微孔性锗硅酸盐，所述晶体微孔性锗硅酸盐展示如以下定义的晶胞参数：

5.如权利要求1所述的晶体微孔性锗硅酸盐，展示呈现出以下的特征峰中的至少九个的粉末X射线衍射XRD图：6.45±0.2度、7.18±0.2度、12.85±0.2度、18.26±0.2度、18.36±0.2度、18.63±0.2度、20.78±0.2度、21.55±0.2度、23.36±0.2度、24.55±0.2度、26.01±0.2度和26.68±0.2度2θ。

6.如权利要求1所述的晶体微孔性锗硅酸盐，其中所述10元环和14元环的孔隙尺寸分别是和

7.如权利要求1所述的晶体微孔性锗硅酸盐，还包含至少一种被取代的苄基-咪唑鎓有机结构导向剂OSDA。

8.如权利要求7所述的晶体微孔性锗硅酸盐，其中所述至少一种被取代的苄基-咪唑鎓有机结构导向剂具有以下结构：

9.如权利要求1至8中任一项所述的晶体微孔性锗硅酸盐，包含锗并且具有在从2:1至16:1的范围内的Si:Ge原子比。

10.如权利要求1至6中任一项所述的晶体微孔性锗硅酸盐，不含有机结构导向剂OSDA。

11.如权利要求10所述的晶体微孔性锗硅酸盐，包含锗并且具有在从2:1至16:1的范围内的Si:Ge原子比。

12.一种含水组合物，包含：

(a)氧化硅的源；

(b)氧化锗的源；

(c)矿化剂；

(d)具有以下结构的至少一种被取代的苄基-咪唑鎓有机结构导向剂OSDA：

以及

(e)如权利要求9的晶体微孔性锗硅酸盐。

13.如权利要求12所述的含水组合物，其中：

(a)所述氧化硅的源包括原硅酸四乙酯；或

(b)所述氧化锗的源包括GeO₂或其水合衍生物；或

(c)(a)和(b)两者。

14.如权利要求12所述的含水组合物，其中所述矿化剂包括：

(a)氟化物源，所述氟化物源包括氢氟酸或其盐或衍生物；

(b)碱金属氢氧化物或碱土金属氢氧化物或其组合。