[发明专利]发光元件

权利要求书

1.一种发光元件，具备：

GaN基板；

第一应变校正层，被形成在所述GaN基板上，由第一导电型的In_xGa_1-xN构成，其中，0＜x≤1；

第一低折射率层，被形成在所述第一应变校正层上，由第一导电型的In_1-a-bGa_aAl_bN构成，并且，具有(a/0.98)+(b/0.8)≥1、(a/1.02)+(b/0.85)≤1、(a/1.03)+(b/0.68)≥1的关系；

第一包覆层，被形成在所述第一低折射率层上，由第一导电型的Al_zGa_1-zN构成，并且，折射率比所述第一低折射率层高，其中，0.03≤z≤0.06；以及

激活层，被形成在所述第一包覆层上。

2.如权利要求1所述的发光元件，

所述的发光元件还具备第二包覆层，

所述第二包覆层，被形成在所述激活层上，由第二导电型的Al_tGa_1-tN构成，并且，具有在从所述GaN基板朝向所述激活层的方向上凸起的脊部，其中，0≤t≤1。

3.如权利要求1或2所述的发光元件，

所述第一应变校正层的In组成x的范围为，0.01≤x≤0.03。

4.如权利要求1或2所述的发光元件，

所述第一应变校正层的层厚度为，0.1μm以上且0.3μm以下。

5.如权利要求1或2所述的发光元件，

所述第一低折射率层，由第一导电型的Al_bGa_1-bN形成，其中，0.06≤b≤0.1。

6.如权利要求1或2所述的发光元件，

所述第一低折射率层的层厚度为，10nm以上且100nm以下。

7.如权利要求1或2所述的发光元件，

所述第一低折射率层是，平均原子组成为In_1-a-bGa_aAl_bN的多量子阱。

8.如权利要求1或2所述的发光元件，

在所述第一包覆层中，z≤0.04。

9.如权利要求8所述的发光元件，

在所述第一包覆层中，层厚度为1μm以下，并且0.03≤z≤0.04。

10.如权利要求1或2所述的发光元件，

所述发光元件还具备第二应变校正层，

所述第二应变校正层，被形成在所述GaN基板与所述第一应变校正层之间，由第一导电型的Al_sGa_1-sN构成，其中，0＜s≤0.01。

11.如权利要求10所述的发光元件，

所述发光元件还具备中间层，

所述中间层，被形成在所述第二应变校正层与所述第一应变校正层之间，由第一导电型的GaN构成。

12.如权利要求2所述的发光元件，

进一步，

在所述激活层与所述第二包覆层之间具备，由第二导电型的Al_hGa_1-hN构成的电子障壁层，其中，0＜h≤1。

13.如权利要求12所述的发光元件，

被形成在所述GaN基板的上表面与所述电子障壁层的上表面之间的层整体的平均应变为压缩性。

14.如权利要求12所述的发光元件，

被形成在所述GaN基板的上表面与所述第二包覆层的上表面之间的层整体的平均应变为压缩性。