[发明专利]有源矩阵基板有效
| 申请号： | 201680032544.3 | 申请日： | 2016-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN107851667B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 宫本忠芳;中野文树 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522;H01L27/146 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 汪飞亚;习冬梅 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有源 矩阵 | ||
1.一种有源矩阵基板，包含:
基板；
配置于所述基板，沿第一方向延伸的多数个的第一配线；
配置于所述基板，沿与所述第一方向相异的第二方向延伸的多数个的第二配线；
对应所述第一配线与所述第二配线的各交点配置，与所述第一配线以及所述第二配线连接的晶体管；以及
绝缘层；
所述第一配线以及所述第二配线的至少一方为，经由所述绝缘层的接触孔连接所述晶体管的电极，且与经由所述绝缘层的接触孔连接的所述晶体管的电极相比，通过厚的膜厚以及小的阻抗率的材料的至少一个的方式形成；
且所述晶体管包含栅极电极、栅极绝缘膜、设在夹着所述栅极绝缘膜与所述栅极电极对向的位置的半导体层、与所述半导体层连接且在与所述基板平行的方向相互对向设置的漏极电极以及源极电极；
所述第一配线为，形成在与所述漏极电极以及所述源极电极相同的层，经由所述栅极绝缘膜的接触孔连接所述栅极电极；
所述第二配线为，经由与所述栅极绝缘膜重叠配置的所述绝缘层的接触孔与所述晶体管的所述漏极电极或所述源极电极连接。
2.如权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述绝缘层为，包含覆盖所述晶体管的钝化膜；
所述有源矩阵基板，更进一步地具备对应所述第一配线与所述第二配线的各交点配置，经由所述钝化膜的接触孔连接所述晶体管的光电转换元件。
3.如权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述绝缘层包含，覆盖所述晶体管的钝化膜；
所述有源矩阵基板为，更进一步地具备对应所述第一配线与所述第二配线各交点配置，经由所述栅极绝缘膜的接触孔连接所述晶体管的光电转换元件。
4.如权利要求2或3所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述绝缘层更进一步地包含，在所述钝化膜的未设置所述光电转换元件的部分设置的平坦化膜；
从与所述基板垂直的方向来看，在所述第一配线与所述第二配线交叉的部分，所述第一配线与所述第二配线之间，配置有所述钝化膜以及所述平坦化膜。
5.如权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述晶体管的栅极电极为，被设置在所述栅极绝缘膜与所述基板之间。
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