[发明专利]微流体光电离检测器有效
| 申请号： | 201680032848.X | 申请日： | 2016-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN107735682B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 范旭东;朱洪波;罗伯特·尼代茨;樱林胜雄;周孟连;李志原 | 申请（专利权）人： | 密歇根大学董事会 |
| 主分类号： | G01N30/74 | 分类号： | G01N30/74 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 唐京桥;杜诚 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 流体 电离 检测器 | ||
1.一种微流体光电离检测器(PID)，包括：
第一层；
包括布置在所述第一层上的导电材料的第二导电层；
形成在所述第二导电层中且具有由所述第二导电层限定的两个壁的微流体通道，所述微流体通道具有接收流体样品的入口和流体样品离开所述微流体通道的出口，其中，所述微流体通道限定具有方向变化至少两个180°的流动路径的蛇形图案；
由所述第二导电层限定的第一电极区域和不同的第二电极区域，其中，所述第一电极区域通过所述微流体通道与所述第二电极区域分开；以及
具有透明窗口的UV光源，所述透明窗口被布置成接近所述微流体通道的至少一部分，其中，所述UV光源被配置成将光子引导至所述微流体通道。
2.根据权利要求1所述的微流体光电离检测器(PID)，其中，所述蛇形图案是阿基米德螺线。
3.根据权利要求1所述的微流体光电离检测器(PID)，其中，所述第二导电层包括导电掺杂硅。
4.根据权利要求1所述的微流体光电离检测器(PID)，其中，所述第二导电层包括导电金属。
5.根据权利要求1所述的微流体光电离检测器(PID)，其中，所述微流体通道的死体积小于或等于所述微流体通道的总体积的1％。
6.根据权利要求1所述的微流体光电离检测器(PID)，其中，所述微流体通道具有小于10μL的总体积和小于或等于30nL的死体积。
7.根据权利要求1所述的微流体光电离检测器(PID)，其中，所述微流体通道具有小于3μL的总体积和小于或等于3nL的死体积。
8.根据权利要求1所述的微流体光电离检测器(PID)，其中，所述第一电极区域和所述第二电极区域连接至具有小于或等于20伏直流电压(VDC)的最大电压的低压电源。
9.一种包括根据权利要求1所述的微流体光电离检测器(PID)且还包括气相色谱单元的检测系统，其中，所述气相色谱单元与所述微流体光电离检测器(PID)流体连通，并且所述微流体光电离检测器(PID)分析从所述气相色谱单元洗脱的样品。
10.一种微流体光电离检测器(PID)，包括：
第一层；
包括布置在所述第一层上的导电材料的第二导电层；
形成在所述第二导电层中且具有由所述第二导电层限定的两个壁的微流体通道，所述微流体通道具有接收流体样品的入口和流体样品离开所述微流体通道的出口，其中，所述微流体通道限定具有方向变化至少两个180°的流动路径的蛇形图案并且具有小于9μL的总体积；
由所述第二导电层限定的第一电极区域和不同的第二电极区域，其中，所述第一电极区域通过所述微流体通道与所述第二电极区域分开；以及
具有透明窗口的UV光源，所述透明窗口接近所述微流体通道的至少一部分，其中，所述UV光源被配置成将光子引导至所述微流体通道的所述部分。
11.根据权利要求10所述的微流体光电离检测器(PID)，其中，所述蛇形图案是阿基米德螺线。
12.根据权利要求10所述的微流体光电离检测器(PID)，其中，所述第二导电层包括导电掺杂硅。
13.根据权利要求10所述的微流体光电离检测器(PID)，其中，所述第二导电层包括导电金属。
14.根据权利要求10所述的微流体光电离检测器(PID)，其中，所述微流体通道具有小于3μL的总体积和小于或等于3nL的死体积。
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