[发明专利]高频电磁干扰(EMI)复合材料有效

专利信息
申请号: 201680032938.9 申请日: 2016-06-02
公开(公告)号: CN107736085B 公开(公告)日: 2019-11-29
发明(设计)人: D·格霍施 申请(专利权)人: 3M创新有限公司
主分类号: H05K9/00 分类号: H05K9/00
代理公司: 11256 北京市金杜律师事务所 代理人: 陈长会;吕小羽<国际申请>=PCT/US
地址: 美国明*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 高频 电磁 干扰 emi 复合材料
【权利要求书】:

1.一种制备电磁干扰EMI屏蔽复合材料的方法,所述方法包括:

提供碳纳米结构CNS填料,所述碳纳米结构CNS填料包含多个交联碳纳米管和一种或多种聚合物封装材料,所述碳纳米管至少部分地被所述一种或多种聚合物封装材料封装;

处理所述CNS填料,以从所述CNS填料中去除所述聚合物封装材料的至少一部分;以及

在去除所述聚合物封装材料之后,将所述经处理的CNS填料与可固化基质材料混合,以获得电磁干扰EMI屏蔽复合材料。

2.根据权利要求1所述的方法,其中去除所述聚合物封装材料包括在溶剂中处理所述CNS填料,以溶解所述聚合物封装材料并将所述聚合物封装材料与所述碳纳米管分离。

3.根据权利要求2所述的方法,其中所述聚合物封装材料包括聚乙二醇(PEG),并且所述溶剂包括水。

4.根据权利要求2所述的方法,其中所述聚合物封装材料包括聚氨酯(PU),并且所述溶剂包括N,N-二甲基甲酰胺(DMF)。

5.根据权利要求2所述的方法,其中所述聚合物封装材料包括聚酰胺,并且所述溶剂包括乙醇。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法,其中通过将CNS封装薄片碾磨成具有在0.5微米至5微米范围内的平均尺寸的细粉末来提供所述CNS填料。

7.根据权利要求1所述的方法,其中所述碳纳米管是导电的,并且所述聚合物封装材料是电绝缘的。

8.根据权利要求1所述的方法,其中所述CNS填料具有包含0.1重量%至15重量%的所述聚合物封装材料的组成。

9.根据权利要求8所述的方法,其中所述CNS填料具有包含85重量%至99.9重量%的所述碳纳米管的组成。

10.根据权利要求1所述的方法,其中所述电磁干扰EMI屏蔽复合材料具有包含0.1重量%至5重量%的所述CNS填料的组成。

11.根据权利要求1所述的方法,其中所述可固化基质材料包括可固化聚合物材料,所述可固化聚合物材料包括环氧树脂、硅氧烷、聚碳酸酯、聚氨酯或聚酯树脂。

12.根据权利要求1所述的方法,还包括通过加热或辐射来固化所述可固化基质材料。

13.根据权利要求1所述的方法,还包括将磁性填料与所述CNS填料混合。

14.根据权利要求13所述的方法,其中所述电磁干扰EMI屏蔽复合材料具有包含30重量%至90重量%的所述磁性填料的组成。

15.根据权利要求14所述的方法,其中所述电磁干扰EMI屏蔽复合材料的组成包含50重量%至80重量%的所述磁性填料。

16.根据权利要求13至15中任一项所述的方法,其中所述磁性填料包括铁磁材料或亚铁磁材料,所述铁磁材料或亚铁磁材料包括掺杂或未掺杂的羰基铁粉末(CIP)、硅化铁、陶瓷磁性铁氧体、陶瓷磁性石榴石或它们的混合物。

17.根据权利要求1所述的方法,其中所述电磁干扰EMI屏蔽复合材料具有包含50重量%至90重量%的介电填料的组成。

18.根据权利要求17所述的方法,其中所述介电材料包括掺杂或未掺杂的TiO、CuO、SiC或BiFeO3或它们的混合物。

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