[发明专利]具备氧化物单晶薄膜的复合晶片及其制造方法有效
| 申请号： | 201680033205.7 | 申请日： | 2016-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN107636802B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 秋山昌次;川合信 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/265;H01L21/425;H01L27/12;H01L41/187;H01L41/312 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 日本东京千代*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具备 氧化物 薄膜 复合 晶片 及其 制造 方法 | ||
1.一种复合晶片的制造方法，其为在支持晶片上具备氧化物单晶薄膜的复合晶片的制造方法，所述复合晶片的制造方法至少包括：
从作为钽酸锂晶片或铌酸锂晶片的氧化物单晶晶片的表面注入氢原子离子或氢分子离子，从而在所述氧化物单晶晶片的内部形成离子注入层的工序；
对所述氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和要与所述氧化物单晶晶片贴合的支持晶片的表面中的至少一者实施表面活化处理的工序；
实施所述表面活化处理之后，将所述氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和所述支持晶片的表面贴合而获得接合体的工序；
在所述接合体的至少一个表面具备具有比所述氧化物单晶晶片小的热膨胀系数的保护晶片的工序；
以80℃以上的温度对具备所述保护晶片的接合体进行热处理的工序；以及
沿着所述离子注入层剥离而获得被转印于所述支持晶片上的氧化物单晶薄膜的工序；且
所述氢原子离子的注入量为5.0×1016atom/cm2～2.75×1017atom/cm2，所述氢分子离子的注入量为2.5×1016atoms/cm2～1.37×1017atoms/cm2，
所述支持晶片是选自由蓝宝石、硅、带氧化膜的硅以及玻璃所组成的群组中的晶片，
所述80℃以上的温度在所述支持晶片为蓝宝石晶片时是80℃～150℃，在所述支持晶片为硅晶片或带氧化膜的硅晶片时是80℃～125℃，在所述支持晶片为玻璃晶片时是80℃～110℃。
2.根据权利要求1所述的复合晶片的制造方法，其中，所述保护晶片是利用双面胶带或粘合剂来固定。
3.根据权利要求1或2所述的复合晶片的制造方法，其中，所述表面活化处理选自臭氧水处理、紫外线臭氧处理、离子束处理及等离子体处理。
4.根据权利要求1或2所述的复合晶片的制造方法，其中，所述保护晶片是选自由蓝宝石、硅以及玻璃所组成的群组中的晶片。
5.一种复合晶片，其是利用根据权利要求1至4中任一项所述的复合晶片的制造方法而获得，且具备支持晶片、以及所述支持晶片上的氧化物单晶薄膜，所述氧化物单晶薄膜是钽酸锂薄膜或铌酸锂薄膜。
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