[发明专利]图像传感器和电子装置在审
申请号: | 201680033226.9 | 申请日: | 2016-06-09 |
公开(公告)号: | CN107683526A | 公开(公告)日: | 2018-02-09 |
发明(设计)人: | 守屋雄介;引地邦彦;伊藤启之;山本笃志;清水正彦 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;G02B3/00;G02B5/00;H04N5/369 |
代理公司: | 北京正理专利代理有限公司11257 | 代理人: | 张雪梅 |
地址: | 日本国东*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 电子 装置 | ||
1.一种图像传感器,包括:
遮光体,其具有遮光壁和各自形成在所述遮光壁之间的开口中的透光部分;
第一遮光层,其形成在所述遮光体的光入射面侧上,并且针对所述遮光体的每个所述开口具有比所述遮光体的所述开口窄的开口;
微透镜,设置在所述遮光体的所述光入射面侧上的所述第一遮光层的每个所述开口中;以及
光接收元件层,具有大量光接收元件的阵列,每个所述光接收元件根据由所述微透镜收集并经由所述遮光体的所述透光部分输入的入射光进行光电转换。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,进一步包括:
第二遮光层,其形成在所述遮光体的所述光接收元件层的一侧上,并且针对所述遮光体的每个所述开口具有比所述遮光体的所述开口窄的开口。
3.根据权利要求2所述的图像传感器,
其中所述遮光体的所述遮光壁由Si形成。
4.根据权利要求2所述的图像传感器,
其中所述第一遮光层由与所述遮光壁不同的遮光件形成。
5.根据权利要求2所述的图像传感器,
其中所述第一遮光层的所述开口是圆形的。
6.根据权利要求2所述的图像传感器,
其中所述第一遮光层的所述开口的壁面形状是倒锥形的或垂直的。
7.根据权利要求2所述的图像传感器,
其中所述第二遮光层由与所述遮光壁不同的遮光件形成。
8.根据权利要求2所述的图像传感器,
其中所述第二遮光层的开口是矩形的。
9.根据权利要求2所述的图像传感器,
其中所述遮光体的透光部分通过将遮光件填充到所述遮光壁之间的开口当中来形成。
10.根据权利要求2所述的图像传感器,进一步包括:
接合层,接合所述遮光体和所述光接收元件层;以及
遮光部分,遮挡所述接合层的侧部。
11.根据权利要求10所述的图像传感器,
其中所述遮光部分通过所述遮光体的所述遮光壁的延伸来形成。
12.根据权利要求10所述的图像传感器,
其中所述遮光部分通过将所述遮光体的所述遮光壁延伸到所述接合层来形成。
13.根据权利要求10所述的图像传感器,
其中所述遮光部分通过将所述遮光体的所述遮光壁延伸到所述光接收元件层来形成。
14.一种电子装置,其具有安装在其上的图像传感器,
所述图像传感器包括:
遮光体,其具有遮光壁和各自形成在所述遮光壁之间的开口中的透光部分,第一遮光层,其形成在所述遮光体的光入射面侧上,并且针对所述遮光体的每个所述开口具有比所述遮光体的所述开口窄的开口,
微透镜,设置在所述遮光体的所述光入射面侧上的所述第一遮光层的每个所述开口中,以及
光接收元件层,具有大量光接收元件的阵列,每个所述光接收元件根据由所述微透镜收集并经由所述遮光体的所述透光部分输入的入射光进行光电转换。
15.一种图像传感器,包括:
遮光体,其具有各自使用Si作为遮光件的遮光壁和各自通过将透明件填充到所述遮光壁之间的开口当中形成的透光部分;以及
光接收元件层,具有大量光接收元件的阵列,每个所述光接收元件根据经由所述遮光体输入的入射光进行光电转换。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680033226.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的