[发明专利]具有不对称端子的电容器结构

说明书

背景

领域

本公开的诸方面涉及半导体器件，并且尤其涉及用于功率递送应用的电容器结构。

背景技术

用于集成电路(IC)的半导体制造的工艺流程可包括前端制程(FEOL)、中部制程(MOL)和后端制程(BEOL)工艺。前端制程工艺可包括晶片制备、隔离、阱形成、栅极图案化、分隔件、扩展和源极/漏极注入、硅化物形成、以及双应力内衬形成。中部制程工艺可包括栅极触点形成。中部制程层可包括但不限于：中部制程触点、通孔或者非常靠近半导体器件晶体管或其他类似有源器件的其他层。后端制程工艺可包括用于互连在前端制程和中部制程工艺期间创建的半导体器件的一系列晶片处理步骤。现代半导体芯片产品的成功制造涉及所采用的材料和工艺之间的相互作用。

对于无线通信设备或其他高速数字电子设备中的集成电路，功率递送网络向整个系统的各种组件供电。功率递送网络可包括调节组件的电压的电压调节器模块。功率递送网络中的谐振是不期望的。可使用电容器来执行抑制功率递送网络中的谐振。表面安装技术(SMT)电容器可减小高功率片上系统设备(诸如应用处理器和图形处理器)中的功率递送网络谐振/噪声。

概述

一种无源分立器件可包括第一不对称端子和第二不对称端子。该无源分立器件可进一步包括被扩展以电耦合至第一不对称端子的第一侧和第二侧的第一内部电极。该无源分立器件还可包括被扩展以电耦合至第二不对称端子的第一侧和第二侧的第二内部电极。

一种制造无源分立器件的方法可包括在多层陶瓷体内镀敷第一内部电极和第二内部电极。该方法还可包括以非正交角度来浸渍该多层陶瓷体以限定第一不对称端子和第二不对称端子。该方法可进一步包括镀敷第一不对称端子，以在该第一不对称端子的第一侧和第二侧处电耦合第一内部电极。该方法可进一步包括镀敷第二不对称端子，以在该第二不对称端子的第一侧和第二侧处电耦合第二内部电极。

一种无源分立器件可包括第一不对称端子和第二不对称端子。该无源分立器件可进一步包括用于电耦合至该第一不对称端子的第一侧和第二侧的第一装置。该无源分立器件还可包括用于电耦合至该第二不对称端子的第一侧和第二侧的第二装置。

这已较宽泛地勾勒出本公开的特征和技术优势以便下面的详细描述可以被更好地理解。本公开的附加特征和优点将在下文描述。本领域技术人员应当领会，本公开可容易地被用作修改或设计用于实施与本公开相同的目的的其他结构的基础。本领域技术人员还应认识到，这样的等效构造并不脱离所附权利要求中所阐述的本公开的教导。被认为是本公开的特性的新颖特征在其组织和操作方法两方面连同进一步的目的和优点在结合附图来考虑以下描述时将被更好地理解。然而，要清楚理解的是，提供每一幅附图均仅用于解说和描述目的，且无意作为对本公开的限定的定义。

附图简述

为了更全面地理解本公开，现在结合附图参阅以下描述。

图1解说了本公开的一方面中的半导体晶片的立体视图。

图2解说了根据本公开的一方面的管芯的横截面视图。

图3A和3B解说了多层陶瓷无源分立器件的各种视图。

图4A到4E解说了根据本公开的诸方面的具有经修改的内部/外部电极结构的无源分立器件的各种视图。

图5进一步解说了根据本公开的诸方面的处于各种制造阶段的图4A到4E的无源分立器件。

图6是解说根据本公开的一方面的用于制造无源分立器件的方法的过程流程图。

图7是示出其中可有利地采用本公开的配置的示例性无线通信系统的框图。

图8是解说根据一种配置的用于半导体组件的电路、布局、以及逻辑设计的设计工作站的框图。

详细描述

以下结合附图阐述的详细描述旨在作为各种配置的描述，而无意表示可实践本文中所描述的概念的仅有的配置。本详细描述包括具体细节以便提供对各种概念的透彻理解。然而，对于本领域技术人员将显而易见的是，没有这些具体细节也可实践这些概念。在一些实例中，以框图形式示出众所周知的结构和组件以避免湮没此类概念。如本文中所描述的，术语“和/或”的使用旨在表示“包含性或”，而术语“或”的使用旨在表示“排他性或”。