[发明专利]含有CaSi2有效

专利信息
申请号: 201680033590.5 申请日: 2016-05-20
公开(公告)号: CN107835789B 公开(公告)日: 2020-07-31
发明(设计)人: 原田正则;合田信弘;毛利敬史;大岛弘树 申请(专利权)人: 株式会社丰田自动织机
主分类号: C01B33/06 分类号: C01B33/06;C01B33/021;H01M4/38;C01B33/04
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 苗堃;金世煜
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 含有 casi base sub
【权利要求书】:

1.一种含有CaSi2的组合物的制造方法,其特征在于,包括:熔液工序和冷却工序,

所述熔液工序是向含结晶性硅的含有CaSi2的组合物,添加Ca和/或M,制备满足下述条件的含有Ca、M和Si的熔液,其中,M为选自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Sc、Fe中的至少一种元素,

条件:将Ca、M和Si的摩尔比设为x:y:z时,x、y和z为23<x≤100/3、0<y<10和64<z≤200/3,其中,x+y+z=100,

所述冷却工序是将所述熔液冷却,得到结晶性硅的量减少的含有CaSi2的组合物。

2.一种硅材料的制造方法,其特征在于,包括:

得到层状硅化合物的工序,将利用权利要求1所述的制造方法制造的含有CaSi2的组合物与酸反应,得到层状硅化合物,以及

加热工序,将所述层状硅化合物在300℃以上加热。

3.一种硅材料的制造方法,其特征在于,包括如下工序:

将利用权利要求1所述的制造方法制造的含有CaSi2的组合物与含卤素聚合物混合,在所述含卤素聚合物的碳化温度以上的温度加热。

4.一种二次电池的制造方法,其特征在于,包括:

二次电池制造工序,使用利用权利要求2或3所述的制造方法制造得到的硅材料。

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