[发明专利]硅材料及其制造方法在审
| 申请号： | 201680033659.4 | 申请日： | 2016-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN107683255A | 公开（公告）日： | 2018-02-09 |
| 发明（设计）人： | 原田正则;毛利敬史;合田信弘 | 申请（专利权）人： | 株式会社丰田自动织机 |
| 主分类号： | C01B33/02 | 分类号： | C01B33/02;H01G11/84;H01M4/38 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 苗堃,金世煜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 材料 及其 制造 方法 | ||
1.一种硅材料的制造方法，其特征在于，包括：
熔液准备工序，准备Ca-x at％Si合金熔液，其中，42≤x≤75，
固化工序，用急速冷却装置将所述熔液冷却，使Ca-x at％Si合金固化，
合成工序，使固化的Ca-x at％Si合金与酸反应，得到层状硅化合物，
加热工序，将所述层状硅化合物在300℃以上加热。
2.根据权利要求1所述的硅材料的制造方法，其中，所述急速冷却装置选自使用在旋转的冷却辊上喷射所述熔液的冷却方法的冷却装置或使用雾化法的冷却装置。
3.根据权利要求1或2所述的硅材料的制造方法，其中，所述急速冷却装置选自液体急冷凝固装置、急冷薄片制造装置、液体纺丝装置、气体雾化装置、水雾化装置、旋转盘装置、旋转电极法装置或离心粉末制造装置。
4.一种硅材料的制造方法，其特征在于，包括：
准备工序，准备含有平均直径0.1～100μm的CaSi2晶粒的Ca-x at％Si合金，其中，42≤x≤75，
合成工序，使所述Ca-x at％Si合金与酸反应，得到层状硅化合物，
加热工序，将所述层状硅化合物在300℃以上加热。
5.根据权利要求4所述的硅材料的制造方法，其中，所述准备工序为权利要求1所述的熔液准备工序和固化工序。
6.一种二次电池的制造方法，其特征在于，包括：
二次电池制造工序，使用通过权利要求1～5中任一项所述的硅材料的制造方法制造的硅材料。
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