[发明专利]具有并联连接的半导体开关的功率换流器

权利要求书

1.一种换流器(2、4)，所述换流器设计用于传输大于3千瓦的电功率并且具有半桥(6)，所述半桥分别具有至少两个由多个半导体开关(16)组成的并联电路(13、14)，其中，并联电路(13、14)分别通过并排布置在共同的电路板(21)上的基本电路(15)构成，

其特征在于，

每个基本电路(15)分别具有一个半导体开关(16)并且附加地具有用于该半导体开关(16)的各个相应的栅极驱动器的栅极驱动电路(17)，所述栅极驱动电路通过控制线路(19)与该半导体开关(16)的栅极(G)导电连接，并且在并联电路(13、14)中，最短的控制线路(19)和最长的控制线路(19)在它们相应的长度(18)方面彼此最大相差因数1.5。

2.按权利要求1所述的换流器(2、4)，其中，最长的控制线路(19)的长度(18)小于3厘米。

3.按前述权利要求之一所述的换流器(2、4)，其中，控制线路(19)通过电路板(21)的相应的第一导体线路(23)构成。

4.按权利要求3所述的换流器(2、4)，其中，在每个并联电路(13、14)中，通过电路板(21)的第二导体线路(22)分别并联地连接所述并联电路的半导体开关(16)。

5.按权利要求4所述的换流器(2、4)，其中，半导体开关(16)分别通过至少一个焊接层(30)无焊条地与第二导体线路(22)机械地和导电地连接。

6.按权利要求1所述的换流器(2、4)，其中，半导体开关(16)是宽带隙半导体开关。

7.按权利要求1所述的换流器(2、4)，其中，换流器(2、4)的控制装置(5)设计用于以超过30千赫的开关频率转换半桥(6)。

8.按权利要求1所述的换流器(2、4)，其中，在每个并联电路(13、14)中，电路板(21)具有由金属制成的基底(31)。

9.按权利要求1所述的换流器(2、4)，其中，每个并联电路(13、14)包括多于10个的基本电路(15)。

10.按权利要求9所述的换流器(2、4)，其中，每个并联电路(13、14)包括多于20个的基本电路(15)。

11.按权利要求1所述的换流器(2、4)，其中，所有的并联电路(13、14)布置在共同的电路板(21)上。

12.一种变流器(1)，具有两个分别按前述权利要求之一所述的换流器(2、4)，其中，两个换流器(2、4)的并联电路(13、14)布置在共同的电路板(21)上。