[发明专利]光刻设备及用于加载衬底的方法有效
申请号: | 201680033995.9 | 申请日: | 2016-05-23 |
公开(公告)号: | CN107743597B | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | A·A·索图特;T·波耶兹 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王静 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光刻 设备 用于 加载 衬底 方法 | ||
1.一种光刻设备,包括:
支撑台,所述支撑台被配置用以支撑衬底;和
气体抽取系统;
其中所述支撑台包括:
基底表面;
在所述基底表面上方突出的多个突节,所述多个突节中的每个具有各自的突节远端,所述突节远端被布置在支撑平面中以便支撑所述衬底;和
连接至所述气体抽取系统的至少一个气体抽取开口,以及
其中所述气体抽取系统被配置用以当所述衬底正被降低到所述支撑台上时,从在基底表面和衬底之间的间隙通过每个气体抽取开口抽取气体;
其中所述光刻设备被配置使得:当所述衬底正被降低到所述支撑台上并且在所述衬底和所述支撑平面之间的距离大于阈值距离时,从所述间隙以第一加载流率抽取气体,以及当所述衬底正被降低到所述支撑台上并且在所述衬底和所述支撑平面之间的距离小于所述阈值距离时,从所述间隙以第二加载流率抽取气体,其中所述第二加载流率小于所述第一加载流率。
2.根据权利要求1所述的光刻设备,其中,所述支撑台包括:
在所述基底表面上方突出的至少一个突出部,每个突出部具有各自的突出部远端,其中所述各自的突出部远端与所述支撑平面间隔开一衬底加载距离;
其中每个突出部远端被设置有所述至少一个气体抽取开口中的气体抽取开口,所述气体抽取开口具有气体抽取开口直径,其中所述衬底加载距离小于所述气体抽取开口直径的一半。
3.根据权利要求1所述的光刻设备,其中所述阈值距离小于或等于0.5mm。
4.根据权利要求1所述的光刻设备,其中所述阈值距离大于或等于0.05mm。
5.一种光刻设备,包括:
支撑台,所述支撑台被配置用以支撑衬底;和
气体抽取系统;
其中所述支撑台包括:
基底表面;
在所述基底表面上方突出的多个突节,所述多个突节中的每个具有各自的突节远端,所述突节远端被布置在支撑平面中以便支撑所述衬底;和
在所述基底表面上方突出的至少一个突出部,每个突出部具有各自的突出部远端,其中所述各自的突出部远端与所述支撑平面间隔开一衬底加载距离;
其中每个突出部远端被设置有连接至所述气体抽取系统的气体抽取开口,其中每个气体抽取开口具有气体抽取开口直径,其中所述衬底加载距离小于所述气体抽取开口直径的一半;和
其中所述气体抽取系统被配置成当所述衬底正被降低到所述支撑台上时,从在所述基底表面和所述衬底之间的间隙通过每个气体抽取开口抽取气体。
6.根据权利要求5所述的光刻设备,其中所述衬底加载距离小于所述气体抽取开口直径的四分之一。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的光刻设备,其中所述气体抽取系统包括:
与所述气体抽取开口流体连通的缓冲体积体,其中所述支撑台被设定尺寸且被布置成使得当所述衬底向下接触到所述支撑台时,减小从在所述基底表面与所述衬底之间的间隙通过所述气体抽取开口抽取到所述缓冲体积体中的气体的流率;和
与所述缓冲体积体流体连通的负压源,所述负压源被配置成在所述衬底向下接触到所述支撑台之前和之后,以实质上恒定的速率从所述缓冲体积体抽取气体。
8.根据权利要求7所述的光刻设备,其中所述负压源被配置成从所述缓冲体积体经由阻扼流动抽取气体。
9.根据权利要求8所述的光刻设备,还包括在缓冲体积体和负压源之间的节流限制件,以便于提供在节流限制件之上的阻扼流动。
10.根据权利要求7所述的光刻设备,其中所述缓冲体积体形成为容纳在支撑台中的腔室或形成为与支撑台分离的独立部件。
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