[发明专利]包括非定向耦合器的射频功率传感器在审

专利信息
申请号: 201680033998.2 申请日: 2016-04-18
公开(公告)号: CN107710501A 公开(公告)日: 2018-02-16
发明(设计)人: T·L·霍尔特 申请(专利权)人: 伯德技术集团股份有限公司
主分类号: H01P5/08 分类号: H01P5/08;H01P5/103;H01P5/18;G01R21/00;G01R21/10
代理公司: 北京润平知识产权代理有限公司11283 代理人: 邝圆晖,王丽娜
地址: 美国俄*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 包括 定向耦合器 射频 功率 传感器
【说明书】:

相关申请的交叉引用

本申请要求2015年4月17日提交,题为“包括非定向耦合器的射频功率传感器”的美国临时专利申请No.62/149,502的优先权,其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本申请涉及射频(RF)功率测量。更具体地,本发明涉及包括非定向耦合器的RF功率传感器。

背景技术

在无线电通信行业中存在许多应用,其中期望测量存在于传输线结构内的功率。这增加了对RF功率传感器的需求。

发明内容

根据本发明的一个方面,提供一种电容式非定向耦合器。电容式非定向耦合器包括非定向耦合器印刷电路板(PCB)和电容衰减器;非定向耦合器PCB包括耦合器部分,所述耦合器部分配置为承载在主传输线上传输的能量;其中,所述非定向耦合器PCB和所述电容衰减器配置为电容分压器,并且提供所述主传输线上的能量的样本。

在本发明的另一方面,耦合器部分是微带线。

在本发明的另一方面,非定向耦合器PCB的前侧包括耦合器部分,非定向耦合器PCB的反面侧包括印刷金属结构,并且介电材料位于耦合器部分和印刷金属结构之间;耦合器部分和印刷金属结构的至少一部分重叠;并且耦合器部分和印刷金属结构配置为当耦合器部分上存在RF功率时耦合。

在本发明的另一方面,电容衰减器电连接到印刷金属结构,并且配置为并联电容器。

在本发明的另一方面,功率传递部件电连接印刷金属结构和电容衰减器。

在本发明的另一方面,电容式非定向耦合器包括配置为电连接印刷金属结构和电容衰减器的功率传递部件。

在本发明的另一方面,电容衰减器位于功率传递部件的基部,并且功率传递部件的远端电连接到印刷金属结构。

在本发明的另一方面,电容式非定向性耦合器包括配置为电连接印刷金属结构和电容衰减器的功率传递部件,其中,电容衰减器位于功率传递部件的基部,功率传递部件的远端与印刷金属结构接触。

在本发明的另一方面,印刷金属结构为圆形点。

在本发明的另一方面,功率传递部件为柔性的。

在本发明的另一方面,电容衰减器是分布式电容器。

在本发明的另一方面,印刷金属结构的直径为0.125英寸。

在本发明的另一方面,非定向耦合器PCB的长度为约0.3英寸,并且非定向耦合器PCB的宽度为约0.4英寸。

在本发明的另一方面,非定向耦合器PCB介电极材料的厚度为约0.020英寸。

在本发明的另一方面,耦合器部分具有约0.050英寸的宽度和约0.300英寸的长度。

在本发明的另一方面,功率传递部件是导线。

在本发明的另一方面,功率传递部件是销。

在本发明的另一方面,功率传递部件是伸缩销。

在本发明的另一方面,射频(RF)功率传感器包括:非定向耦合器和模拟处理电路;非定向耦合器是电容式非定向耦合器,并且包括非定向耦合器印刷电路板(PCB)和电容衰减器;非定向耦合器PCB包括耦合器部分,所述耦合器部分配置为承载在主传输线上传输的能量;其中,所述非定向耦合器PCB和所述电容衰减器配置为电容分压器,并提供所述主传输线上的能量的样本。

在本发明的另一方面,耦合器部分是微带线。

在本发明的另一方面,非定向耦合器PCB的前侧包括耦合器部分,非定向耦合器PCB的反面侧包括印刷金属结构,并且介电材料位于耦合器部分和印刷金属结构之间;耦合器部分和印刷金属结构的至少一部分重叠;并且耦合器部分和印刷金属结构配置为当耦合器部分上存在RF功率时耦合。

在本发明的另一方面,电容衰减器电连接到印刷金属结构,并且配置为并联电容器。

在本发明的另一方面,功率传递部件电连接印刷金属结构和电容衰减器。

在本发明的另一方面,RF功率传感器还包括配置为电连接印刷金属结构和电容衰减器的功率传递部件,其中,电容衰减器位于功率传递部件的基部,功率传递部件的远端电连接至印刷金属结构。

在本发明的另一方面,RF功率传感器还包括配置为电连接印刷金属结构和电容衰减器的功率传递部件,其中,电容衰减器位于功率传递部件的基部,功率传递部件的远端接触印刷金属结构。

在本发明的另一方面,印刷金属结构为圆形点。

在本发明的另一方面,功率传递部件为柔性的。

在本发明的另一方面,电容衰减器是分布式电容器。

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