[发明专利]针对侧壁孔密封及通孔清洁度的互连整合

权利要求书

1.一种方法，所述方法包含以下步骤：

将基板暴露于UV辐射和包括NH₃的第一反应气体，其中所述基板具有限定在所述基板中的开口特征，所述开口特征由多孔低k介电层的暴露表面和导电材料的暴露上表面所界定，其中所述多孔低k介电层是含硅和碳材料，其中所述将基板暴露于UV辐射和第一反应气体相对于所述多孔低k介电层的暴露表面增加了所述导电材料的暴露上表面的疏水性，其中所述导电材料的暴露上表面界定所述开口特征的底面，并且其中所述多孔低k介电层的暴露表面界定所述开口特征的侧壁；和

使用UV辅助光化学气相沉积而选择性在所述多孔低k介电层的UV处理的暴露表面上形成孔密封层在所述开口特征中并且在所述导电材料的UV处理的暴露上表面上形成孔密封残余物，其中所述孔密封层和所述孔密封残余物为硅-碳-氮基膜，并且其中在所述开口特征的所述多孔低k介电层的所述UV处理的暴露表面上的所述孔密封层的沉积速率大于在所述开口特征的所述导电材料的所述UV处理的暴露上表面上的所述孔密封残余物的沉积速率。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述UV辅助光化学气相沉积包含：

将所述基板暴露至载气和包含硅、碳和氮的前驱物成分，同时传送UV辐射至所述多孔低k介电层。

3.如权利要求2所述的方法，进一步包含以下步骤：

在所述将基板暴露至载气和包含硅、碳和氮的前驱物成分之后，暴露所沉积的所述孔密封层至UV辐射。

4.如权利要求3所述的方法，进一步包含以下步骤：

重复所述UV辅助光化学气相沉积和在所述将基板暴露至载气和包含硅、碳和氮的前驱物成分之后，暴露所沉积的所述孔密封层至UV辐射的步骤，直到所述孔密封层达成预定的厚度。

5.如权利要求4所述的方法，进一步包含以下步骤：

将所述基板暴露至后沉积处理工艺，以从所述开口特征的所述导电材料移除所述孔密封残余物。

6.如权利要求4所述的方法，进一步包含以下步骤：

以导电材料充填所述开口特征。

7.如权利要求2所述的方法，其中所述前驱物成分选自以下所组成的群组：三(二甲基氨基)甲基硅烷(tris(dimethylamino)methylsilane)、四(二甲基氨基)硅烷(tetrakis(dimethylamino)silane)、三(二甲氨基)硅烷(tris(dimethylamino)silane)、双(二甲氨基)二甲基硅烷(bis(dimethylamino)dimethylsilane)、双(二甲基氨基)甲基乙烯基硅烷(bis(dimethylamino)methylvinylsilane)、三甲硅烷基氨(trisilylamine)、二甲氨基三甲基硅烷(dimethylaminotrimethylsilane)、环三硅氮烷(cyclotrisilazane)、三甲基三乙烯基环三硅氮烷(trimethyltrivinylcyclotrisilazane)、六甲基环三硅氮烷(hexamethylcyclotrisilazane)、九甲基环三硅氮烷(nonamethycyclotrisilazane)或它们的组合。

8.如权利要求2所述的方法，其中所述载气选自以下所组成的群组：氦气、氩气、氮气或它们的组合。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述孔密封层对每一沉积循环具有范围从约1埃至约5埃的厚度。

10.如权利要求3所述的方法，其中所述暴露所沉积的所述孔密封层至UV辐射的步骤包含以下步骤：将第二反应气体流入腔室中，所述基板被设置在所述腔室中。