[发明专利]沉积钙钛矿材料的方法

权利要求书

1.一种制造光伏装置的方法，所述光伏装置包括具有钙钛矿材料致密层的光敏区域，其中所述致密层无开孔孔隙度，其中所述钙钛矿材料具有通式[A][B][X]₃，其中[A]是至少一种一价阳离子，[B]是至少一种二价无机阳离子，并且[X]是至少一种卤化物阴离子，其中所述钙钛矿材料层设置在具有大于或等于50nm的粗糙度平均值(R_a)或均方根粗糙度(R_rms)的表面上，所述方法包括：

a)使用气相沉积来使包含所述钙钛矿材料的一种或多种初始前体化合物的基本上连续且共形的固体层沉积在所述粗糙表面上；所述一种或多种初始前体化合物包括以下中的一种：(i)包含二价无机阳离子B和卤化物阴离子X的化合物，以及(ii)包含一价阳离子A和卤化物阴离子X的化合物；以及

b)随后，用一种或多种其他前体化合物使用溶液沉积来处理包含所述钙钛矿材料的所述一种或多种初始前体化合物的所述共形的固体层，并且从而使所述一种或多种初始前体化合物和所述一种或多种其他前体化合物进行反应以在所述粗糙表面上形成所述钙钛矿材料的致密的基本上连续且共形的固体层，其中所述致密层无开孔孔隙度；所述一种或多种其他前体化合物包括以下中的另一种：(i)包含二价无机阳离子B和卤化物阴离子X的化合物，以及(ii)包含一价阳离子A和卤化物阴离子X的化合物。

2.根据权利要求1所述的方法，其中[X]包含选自氟化物、氯化物、溴化物和碘化物的两种不同的卤化物阴离子。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述至少一种一价阳离子[A]包含选自甲基铵(CH₃NH₃⁺)、甲脒(HC(NH)₂)₂⁺)和乙基铵(CH₃CH₂NH₃⁺)的一种或多种有机阳离子。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述至少一种一价阳离子[A]包含选自Cs⁺、Rb⁺、Cu⁺、Pd⁺、Pt⁺、Ag⁺、Au⁺、Rh⁺和Ru⁺的至少一种一价无机阳离子。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述至少一种一价阳离子[A]除了包含选自Cs⁺、Rb⁺、Cu⁺、Pd⁺、Pt⁺、Ag⁺、Au⁺、Rh⁺和Ru⁺的至少一种一价无机阳离子之外还包含选自甲基铵(CH₃NH₃⁺)、甲脒(HC(NH)₂)₂⁺)和乙基铵(CH₃CH₂NH₃⁺)的至少一种一价有机阳离子。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其中[B]包含选自Pb²⁺和Sn²⁺的至少一种二价无机阳离子。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述一种或多种初始前体化合物中的每一种包含所述一种或多种二价无机阳离子[B]中的一种，并且所述一种或多种其他前体化合物中的每一种包含所述一种或多种一价阳离子[A]中的一种。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述一种或多种初始前体化合物中的每一种和所述一种或多种其他前体化合物中的每一种还包含所述一种或多种卤化物阴离子[X]中的一种。