[发明专利]配线电路基板、半导体装置、配线电路基板的制造方法以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种配线电路基板，其中，

所述配线电路基板包含：

玻璃基材，其具有贯通孔；

绝缘性树脂层，其层叠于所述玻璃基材上，且形成有导通孔；

配线组，其层叠于所述绝缘性树脂层；

第1无机贴合层，其层叠于所述贯通孔内的内径面；

贯通电极，其由层叠于所述第1无机贴合层的第1导电层构成；以及

第2导电层，其与所述贯通电极的上下端电连接，形成于所述贯通电极以及所述玻璃基材上，

所述玻璃基材的表面粗糙度Ra小于或等于100nm，

所述第2导电层的所述贯通电极上的凹陷量小于或等于5μm。

2.根据权利要求1所述的配线电路基板，其中，

利用填充树脂对所述第1导电层的内侧进行填充，利用所述第2导电层将所述贯通电极的上下端覆盖。

3.根据权利要求1所述的配线电路基板，其中，

利用所述第1导电层对所述第1无机贴合层的内侧进行填充。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的配线电路基板，其中，

在所述玻璃基材以及所述贯通电极上形成第2无机贴合层，所述第2导电层形成于所述第2无机贴合层之上而形成配线组。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的配线电路基板，其中，

利用热膨胀率比所述第2导电层的材料的热膨胀率高的绝缘性树脂层将所述配线组覆盖。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的配线电路基板，其中，

所述第1或者第2无机贴合层是含有氧化锡、氧化铟、氧化锌、镍、镍磷、铬、氧化铬、氮化铝、氮化铜、氧化铝、钽、钛、铜中的任一种的单层或者层叠的膜。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的配线电路基板，其中，

形成所述第1或者第2导电层以及贯通电极的导电性材料含有铜、银、金、镍、铂、钯、钌、锡、锡银、锡银铜、锡铜、锡铋、锡铅中的任一种。

8.根据权利要求2所述的配线电路基板，其中，

所述填充树脂是含有氧化硅、铜、银、金、镍、铂、钯、钌、锡、锡银、锡银铜、锡铜、锡铋、锡铅中的任一种的粉体、和环氧/苯酚系树脂、聚酰亚胺树脂、环烯烃、PBO树脂中的任一种树脂材料的混合物。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的配线电路基板，其中，

作为所述绝缘性树脂层的材料，含有环氧/苯酚系树脂、聚酰亚胺树脂、环烯烃、PBO树脂、氧化硅中的任一种。

10.一种半导体装置，其中，

所述半导体装置包含：权利要求1至9中任一项所述的配线电路基板；以及层叠于所述配线电路基板的半导体元件。

11.一种配线电路基板的制造方法，其中，

所述配线电路基板的制造方法包含：

贯通孔形成工序，在该贯通孔形成工序中，在玻璃基材形成贯通孔；

无机贴合层形成工序，在该无机贴合层形成工序中，在所述玻璃基材的两表面和所述贯通孔的内径面形成由无机材料构成的第1无机贴合层；

贯通电极形成工序，在该贯通电极形成工序中，在所述第1无机贴合层之上形成由导电性材料构成的第1导电层，并且将填充树脂填充于所述贯通孔内的间隙而形成贯通电极；

不要层去除工序，在该不要层去除工序中，保留所述贯通电极，将层叠于所述玻璃基材表面的所述第1无机贴合层以及所述第1导电层去除；

仅对所述玻璃基材的表面进行研磨的工序；

在所述玻璃基材以及所述贯通电极上形成第2无机贴合层，在所述第2无机贴合层之上形成第2导电层，将所述贯通电极的上下端覆盖，并且形成第1配线组的工序；

绝缘性树脂层工序，在该绝缘性树脂层工序中，将所述第1配线组覆盖而形成绝缘性树脂层；

通路孔形成工序，在该通路孔形成工序中，在所述绝缘性树脂层中的第1配线组的配线上形成通路孔；

配线组·导通孔形成工序，在该配线组·导通孔形成工序中，在所述绝缘性树脂层上利用导电性物质而形成第2配线组以及导通孔；以及

以规定层数形成所述绝缘性树脂层和所述配线组的工序。