[发明专利]抗蚀剂剥离液有效
申请号: | 201680034620.4 | 申请日: | 2016-09-30 |
公开(公告)号: | CN107995960B | 公开(公告)日: | 2019-03-12 |
发明(设计)人: | 渊上真一郎;鬼头佑典 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
主分类号: | G03F7/42 | 分类号: | G03F7/42 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 抗蚀剂 剥离 | ||
半导体装置等的制造工艺中,一直以来在高温度下进行固化,避免了抗蚀剂的固化不良。因此,需要比以往剥离力强的剥离液。一种抗蚀剂剥离液,其特征在于,包含:仲胺;作为极性溶剂包含1,3‑二甲基‑2‑咪唑啉酮(DMI)和水;作为添加剂的肼,前述水为10.0质量%以上且低于31.0质量%,能够剥离经高温烘焙的抗蚀剂,也不会发生膜表面、截面的腐蚀。
技术领域
本发明涉及一种剥离液,其用于剥离在制造液晶、有机EL等显示设备、半导体时所使用的抗蚀剂,更详细而言,涉及即使为经硬烘焙的抗蚀剂膜也能够去除抗蚀剂,进而可以说对铝膜和铜膜实质上也不腐蚀的抗蚀剂剥离液。
背景技术
液晶、有机EL(Electro-Luminescence)等平板显示器(FPD)要求具有大屏幕。另一方面,作为笔记本PC、平板PC、智能手机用,要求小型高精细屏幕。作为大屏幕用,可使用利用了Cu布线或Cu/Mo层叠布线(以下简称为“Cu布线”。)的薄膜晶体管(TFT:Thin FilmTransistor)。另外,作为小型高精细屏幕用,可使用利用了Al布线的TFT。需要说明的是,以下Cu也称为铜、Mo也称为钼、Al也称为铝。
在面板制造厂商中,也有在一个工厂内生产使用了Cu布线的TFT、及使Cu布线和Al布线混在而成的TFT的情况。生产使Cu布线和Al布线混在而成的TFT时,在抗蚀剂膜的剥离工序中,只要能够在使用Al布线时和在使用Cu布线时共用抗蚀剂剥离液,就能够减少生产成本和设备。
水系的正型光致抗蚀剂用剥离液通常是包含链烷醇胺、极性溶剂、水的组成,在抗蚀剂剥离装置内加热至40以上且50℃以下左右来使用。
链烷醇胺是用于通过亲核作用使作为正型光致抗蚀剂剥离液中的碱不溶化剂的DNQ(重氮萘醌)化合物的羰基在极性溶剂和水中增溶所必须的成分。链烷醇胺根据与氮元素结合的氢以外的取代基的个数而分为伯胺、仲胺、叔胺。这些当中,已知级数越小则碱性越强、亲核性也越强。
因此,越是级数小的链烷醇胺,使作为碱不溶化剂的DNQ化合物在极性溶剂、水中增溶的能力越强,发挥强力的抗蚀剂剥离性能。
另一方面,已知链烷醇胺对Cu具有螯合作用。对于Cu的螯合作用使Cu增溶,因此会腐蚀Cu膜。与碱性、亲核性同样地链烷醇胺的级数越小对于Cu的螯合作用越强。因此,越是级数小的链烷醇胺越强烈地腐蚀Cu膜。
在非晶硅(以下也称为“a-Si”。)、低温多晶硅(以下也称为“LTPS”。)、氧化物半导体(以下也称为“IGZO”。)之类的半导体的高精细用TFT的生产工艺中,在干法蚀刻工序中抗蚀剂因受损而改性,有时变得难以剥离抗蚀剂。可认为这是由于构成正型抗蚀剂膜的DNQ化合物与酚醛清漆树脂的聚合过度进行所致的。
Al布线不会受到由链烷醇胺导致的腐蚀作用(螯合作用)。因此,为了剥离改性的抗蚀剂,通常使用具有强力的剥离性能的伯胺的链烷醇胺。
另一方面,Cu布线的情况,若使用伯胺或仲胺的链烷醇胺,则多数情况Cu布线的腐蚀会达到无法接受的程度。因此,提出了使用叔胺的链烷醇胺的剥离液。叔胺的链烷醇胺对Cu的螯合作用弱,能够将Cu膜的腐蚀抑制在实用上不出现问题的范围内。然而,碱性、亲核性也与螯合作用同样地弱,与使用了伯胺或仲胺的链烷醇胺的抗蚀剂剥离液相比,存在抗蚀剂剥离力弱这样的缺点。
在这样的技术背景下,需要与使用了伯胺的链烷醇胺的Al布线用抗蚀剂剥离液具有同等及以上程度的剥离性能,且能够用于Cu布线、Al布线这两者的抗蚀剂剥离液组合物。
另外,专利文献1中公开了包含(1)式所示的化合物和溶剂的抗蚀剂剥离液。该抗蚀剂剥离液也能够在Cu布线和Al布线的抗蚀剂剥离工序中共用。
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