[发明专利]用于微机电系统静摩擦减少的硅烷改性流体

权利要求书

1.一种装置，其包括：

第一衬底；

第二衬底，其与所述第一衬底相对；

多个可移动MEMS组件，其在所述第二衬底上方；

流体，其在所述第一衬底与所述第二衬底之间并环绕所述可移动MEMS组件；及

密封件，其用于结合所述第一衬底与所述第二衬底并封闭所述装置中的所述流体，其中所述流体包含表面能改性剂，所述表面能改性剂包含非极性官能团R。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述非极性官能团R是选自由以下组成的群组：烷基、芳基及环烷基。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述表面能改性剂包含硅原子、所述非极性官能团R及可水解基团R′，其中所述可水解基团R′是选自由以下组成的群组：烷氧基、酰氧基、胺及氯。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述表面能改性剂是选自由以下组成的群组：苯乙基三甲氧基硅烷PETMS、辛基三甲氧基硅烷OTMS、苯基三甲氧基硅烷PTS、十二烷基三甲氧基硅烷DDTMS、十二烷基三乙氧基硅烷DDTES、苯乙醇PEA、十八烷基三氯硅烷OTS、环己基三氯硅烷及二异丙基二甲氨基辛基硅烷。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述表面能改性剂是在所述流体的约0.5容积百分比与约5.0容积百分比之间。

6.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的装置，其中所述第一衬底包含光圈板且所述第二衬底包含MEMS衬底，所述MEMS衬底的内表面与所述光圈板的内表面相比具有较高表面能。

7.根据权利要求6所述的装置，其中所述表面能改性剂能够减少所述MEMS衬底的所述表面能。

8.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的装置，其中所述可移动MEMS组件的表面包含硅、氮化物、氧化物及金属中的至少一者。

9.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的装置，其中所述流体包含有机溶剂。

10.根据权利要求9所述的装置，其中所述表面能改性剂溶解于所述有机溶剂中。

11.根据权利要求9所述的装置，其中所述表面能改性剂在所述有机溶剂与所述可移动MEMS组件的表面之间形成界面层，所述界面层能够减少所述有机溶剂与所述可移动MEMS组件的所述表面之间的摩擦。

12.根据权利要求11所述的装置，其中所述界面层包含面向所述可移动MEMS组件的所述表面的极性硅烷醇及面向所述有机溶剂的非极性官能团R。

13.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的装置，其中所述可移动MEMS组件中的每一者包含在基于快门的MEMS光调制器中的快门。

14.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的装置，其进一步包括：

显示器；

处理器，其能够与所述显示器通信，所述处理器能够处理图像数据；及

存储器装置，其能够与所述处理器通信。

15.根据权利要求14所述的装置，其进一步包括：

驱动电路，其能够将至少一个信号发送到所述显示器；及

控制器，其能够将所述图像数据的至少一部分发送到所述驱动电路。

16.根据权利要求14所述的装置，其进一步包括：

图像源模块，其能够将所述图像数据发送到所述处理器，其中所述图像源模块包含接收器、收发器及发射器中的至少一者。

17.根据权利要求14所述的装置，其进一步包括：

输入装置，其能够接收输入数据且将所述输入数据传达到所述处理器。