[发明专利]多工器、高频前端电路以及通信装置

权利要求书

1.一种多工器，被配置在安装基板上，具备：

天线端子；和

多个带通型滤波器，与所述天线端子共用连接，并且通带各不相同，

所述多个带通型滤波器具有：具有第1、第2压电基板的第1、第2带通型滤波器；和所述第1、第2带通型滤波器以外的至少一个带通型滤波器，所述第1、第2带通型滤波器构成双工器，

所述第1带通型滤波器具有第1层叠体，所述第1层叠体中，在包含所传播的体波的声速比所述第1压电基板中传播的弹性波的声速高速的第1高声速构件的第1支承基板上，层叠有所述第1压电基板，在所述第1压电基板上层叠有第1IDT电极，

所述第2带通型滤波器具有第2层叠体，所述第2层叠体中，在包含所传播的体波的声速比所述第2压电基板中传播的弹性波的声速高速的第2高声速构件的第2支承基板上，层叠有所述第2压电基板，在所述第2压电基板上层叠有第2IDT电极，

所述第1带通型滤波器与所述第2带通型滤波器作为不同的部件而被配置在所述安装基板上，

所述第1层叠体的构成与所述第2层叠体的构成不同，以使得所述第1、第2带通型滤波器中产生的高阶模杂散的频带与所述多个带通型滤波器内的所述第1、第2带通型滤波器以外的带通型滤波器的通带不同。

2.根据权利要求1所述的多工器，其中，

所述第1层叠体具有第1低声速膜，所述第1低声速膜被层叠于所述第1支承基板与所述第1压电基板之间，所传播的体波的声速比所述第1压电基板中传播的弹性波的声速低速，

所述第2层叠体具有第2低声速膜，所述第2低声速膜被层叠于所述第2支承基板与所述第2压电基板之间，所传播的体波的声速比所述第2压电基板中传播的弹性波的声速低速。

3.根据权利要求2所述的多工器，其中，

所述第1低声速膜的厚度与所述第2低声速膜的厚度不同。

4.根据权利要求1～3的任一项所述的多工器，其中，

所述第1IDT电极的厚度与所述第2IDT电极的厚度不同。

5.根据权利要求1～3的任一项所述的多工器，其中，

所述第1压电基板的厚度与所述第2压电基板的厚度不同。

6.根据权利要求1～3的任一项所述的多工器，其中，

所述第1支承基板是由所述第1高声速构件构成的第1高声速基板，所述第2支承基板是由所述第2高声速构件构成的第2高声速基板。

7.根据权利要求6所述的多工器，其中，

所述第1高声速基板和所述第2高声速基板由Si构成，所述第1高声速基板的晶体取向与所述第2高声速基板的晶体取向不同。

8.根据权利要求1～3的任一项所述的多工器，其中，

所述第1、第2压电基板由LiTaO₃构成。

9.根据权利要求1～3的任一项所述的多工器，其中，

所述第1带通型滤波器或者所述第2带通型滤波器被构成在与所述第1、第2带通型滤波器以外的带通型滤波器内的至少一个带通型滤波器相同的支承基板上，且作为一体的部件而被构成。

10.根据权利要求1～3的任一项所述的多工器，其中，

所述第1带通型滤波器、所述第2带通型滤波器以及所述第1、第2带通型滤波器以外的带通型滤波器分别被构成在不同的支承基板上，且分别作为不同的部件而被构成。