[发明专利]用于耗尽型放大器的偏置电路

权利要求书

1.一种电路，包括：

放大器，所述放大器包括：

耗尽型晶体管，所述耗尽型晶体管具有源电极，所述源电极耦合到参考电位；漏电极，所述漏电极耦合到比所述参考电位更正的电位；以及栅电极，所述栅电极用于耦合到输入信号；

偏置电路，所述偏置电路包括：

电流源；以及

偏压电路，所述偏压电路耦合到所述电流源以及比所述参考电位更正的电位和比所述参考电位更负的电位之间；以及

控制电路，所述控制电路连接到所述电流源，用于控制由所述电流源产生的至所述偏压电路的电流量。

2.根据权利要求1所述的电路，其中，所述控制电路包括开关，所述开关由控制信号馈送，以选择性地将所述开关置于“接通状态”以使得来自所述电流源的电流能够流到所述偏压电路从而在所述晶体管的所述栅电极处产生偏置电压，或者将所述开关置于“关断状态”以电气地禁止从所述电流源到所述偏压电路的电流从而去除来自所述偏置电路的偏置电压，去除所述电流源和在所述晶体管的所述栅电极处的偏置电压。

3.根据权利要求1所述的电路，其中，所述控制电路根据被馈送到所述控制电路的控制信号来改变从所述电流源流到所述偏压电路的电流量，以相应地改变所述晶体管的所述栅电极处的偏置电压。

4.根据权利要求2所述的电路，其中，所述开关包括第二耗尽型场效应晶体管，并且其中，所述第二耗尽型场效应晶体管的栅电极被馈送所述控制信号。

5.根据权利要求3所述的电路，其中，所述偏压电路包括多个附加的耗尽型场效应晶体管。

6.根据权利要求3所述的电路，其中，所述放大器和所述偏置电路形成在III-V族芯片上，并且其中，所述控制电路形成在硅芯片上。

7.根据权利要求3所述的电路，其中，所述控制信号将由所述电流源根据所述控制信号产生的电流从所述偏压电路转移。